Vishay TrenchFET? 第五代功率 MOSFET 可為隔離式和非隔離式拓撲提供更高的功率密度和效率。超低導通電阻、高達 +175°C 的工作溫度以及 Vishay 節(jié)省空間的 PowerPAK? 封裝有助于通過鍵合無引線結(jié)構提高板級可靠性。TrenchFET 第五代 MOSFET 改進了 FOM，可實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。該系列經(jīng)過 100%_RG 和 UIS 測試，符合 RoHS 標準且不含鹵素。
特性
TrenchFET 第五代功率 MOSFET
超低 RDS(ON) x QG FOM 產(chǎn)品
優(yōu)化的 QGD/QGS 比率
卓越的電源效率表現(xiàn)
應用
初級側(cè)開關
電信電源同步整流
電池管理
工業(yè)市場
