Vishay 多功能 30 V N 溝道 TrenchFET? Gen V 功率 MOSFET 采用源極翻轉(zhuǎn)技術(shù)，采用 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F 封裝。SiSD5300DN 與 PowerPAK 1212-8S 占用相同的空間，導(dǎo)通電阻降低了 18%，從而提高了功率密度，同時(shí)其源極翻轉(zhuǎn)技術(shù)將熱阻降低了 +63°C/W 至 +56°C/W。此外，MOSFET 的 FOM 比上一代器件提高了 35%，使得傳導(dǎo)和開關(guān)損耗下降，從而在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中獲得節(jié)能效果。
PowerPAK1212-F 源極翻轉(zhuǎn)技術(shù)顛倒了接地焊盤和源極焊盤的通常比例，擴(kuò)大了接地焊盤的面積，以提供更有效的散熱路徑，從而促進(jìn)更涼爽的運(yùn)行。同時(shí)，PowerPAK 1212-F 最大限度地減少了開關(guān)區(qū)域的范圍，有助于減少跡線噪聲的影響。具體而言，在 PowerPAK 1212-F 封裝中，源極焊盤尺寸增加了 10 倍，從 0.36 毫米增加到 4.13 毫米，從而實(shí)現(xiàn)了熱性能的相應(yīng)改善。PowerPAK1212-F 的中心柵極設(shè)計(jì)還簡化了單層 PCB 上多個(gè)器件的并聯(lián)。
特性
采用 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-F 封裝的源翻轉(zhuǎn)技術(shù)
導(dǎo)通電阻：10 V 時(shí)為 0.71 mΩ
導(dǎo)通電阻乘以柵極電荷 FOM：42 m*nC
熱阻低：+56°C/W
經(jīng)過 100%_Rg 和 UIS 測試
符合 RoHS 規(guī)范且無鹵素
應(yīng)用
二次整流
有源鉗位
電池管理系統(tǒng) (BMS)
降壓和 BLDC 轉(zhuǎn)換器
OR-ring FET
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
用于焊接設(shè)備和電動(dòng)工具的負(fù)載開關(guān)
服務(wù)器
邊緣設(shè)備
超級計(jì)算機(jī)
平板電腦
割草機(jī)和清潔機(jī)器人
無線電基站
