2SJ652-1E 絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)

2SJ652-1E這款芯片的主要參數(shù)，其詳細信息如下：

- 制造商：ON Semiconductor

- 產(chǎn)品種類：MOSFET

- RoHS：是

- 技術(shù)：Si

- 安裝風格：Through Hole

- 封裝/箱體：TO-220-3

- 通道數(shù)量：1 Channel

- 晶體管極性：P-Channel

- Vds-漏源極擊穿電壓：60V

- Id-連續(xù)漏極電流：28A

- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：28.5mOhms

- Vgs-柵極-源極電壓：20V

- Qg-柵極電荷：80nC

- 最小工作溫度：-55°C

- 最大工作溫度：+150°C

- Pd-功率耗散：30W

- 配置：Single

- 封裝：Tube

- 系列：2SJ652

- 晶體管類型：1P-Channel

- 商標：ON Semiconductor

- 下降時間：180ns

- 產(chǎn)品類型：MOSFET

- 上升時間：210ns

- 工廠包裝數(shù)量：50

- 子類別：MOSFETs

- 典型關(guān)閉延遲時間：310ns

- 典型接通延遲時間：33ns

- 單位重量：6g