NVMFWS002N10MCL單N溝道功率

安森美NVMFWS002N10MCL單N溝道功率MOSFET具有177A的連續(xù)漏極電流、10V時(shí)2.8mΩ的RDS(ON) 和100V的漏-源電壓。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm扁平引線封裝，開發(fā)用于緊湊高效的設(shè)計(jì)。安森美半導(dǎo)體符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET具有PPAP功能，非常適合用于汽車應(yīng)用。
特性

_占位面積小(5mm x 6mm)，設(shè)計(jì)緊湊
_低RDS(on)，最大限度地降低了導(dǎo)通損耗
_低QG 、低電容，使驅(qū)動(dòng)器損耗降到最小

_符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能
_無鉛、無鹵/無BFR、無鈹，符合RoHS指令

應(yīng)用

_48V系統(tǒng)
_開關(guān)電源
_反向電池保護(hù)

_電源開關(guān)（高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、H橋等）