制造商: Toshiba
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOP-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 45 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 190 nC
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
商標: Toshiba
配置: Single
下降時間: 262 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 762 ns
典型接通延遲時間: 18 ns
