近期，存儲廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價較高，確實會對存儲器廠商營收有所貢獻，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當前南亞科在DRAM市場的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭奪HBM市場。
存儲市場正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術(shù)也從幕后走向臺前，并成為推動存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強勁動能。不過，HBM技術(shù)含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術(shù)是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲廠商的“狂歡”。
如今，存儲大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準了最新的HBM3E技術(shù)。
今年2月26日美光宣布已開始批量生產(chǎn)HBM3E解決方案。其中24GB 8-High HBM3E將成為NVIDIA H200 Tensor Core GPU的一部分，該GPU將于 2024 年第二季度開始發(fā)貨。
幾乎同期，三星發(fā)布了首款36GB HBM3E 12H DRAM，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。目前，三星已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品，預計于今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。
SK海力士同樣計劃在2024年上半年將HBM3E投入量產(chǎn)。
業(yè)界認為，盡管HBM在DRAM市場占比較小，不過在AI利好之下，HBM市場供不應求，并有望推動存儲器市場持續(xù)成長。
來源：全球半導體觀察整理 原作者：Flora
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
