MSD1819A-R通用和低VCE晶體管

onsemi MSD1819A-R通用和低VCE 晶體管設(shè)計(jì)用于放大器應(yīng)用。該NPN晶體管具有210至460的大電流增益（hFE）和低VCE <_0.5V。NPN晶體管采用SC-70/SOT-323封裝，設(shè)計(jì)用于低功耗表面貼裝應(yīng)用。硅外延平面晶體管符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能。這款低VCE 晶體管不含鉛、鹵素/BFR。典型應(yīng)用包括電池反向保護(hù)、直流-直流轉(zhuǎn)換器輸出驅(qū)動(dòng)器和高速開(kāi)關(guān)。
特性

_濕度靈敏性等級(jí)：1級(jí)(MSL 1)
_ESD 保護(hù)：
_人體模型>_4000V
_機(jī)器模型>_400V
_符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能

_無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR
_符合RoHS指令

規(guī)范

_高h(yuǎn)FE，210至460
_低VCE(sat) ：<_0.5V
_集電極-基極和集電極-發(fā)射極電壓：60VDC
_7V發(fā)射極-基極電壓

_功率耗散：150mW
_集電極電流：
_100mADC - 連續(xù)
_200mADC - 峰值
_結(jié)溫：150°C

應(yīng)用

_反向電池保護(hù)
_直流－直流轉(zhuǎn)換器輸出驅(qū)動(dòng)器

_高速切換