FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 5.3A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（大值） 27 毫歐 @ 5.2A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（大值） 2.3V @ 25μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（大值） 2.6 nC @ 4.5 V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（大值） 382 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 1.3W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 Micro3?/SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本產(chǎn)品編號(hào) IRLML0030
