NVMFWS003N10MC單N溝道功率MOSFET

安森美半導(dǎo)體NVMFWS003N10MC單N溝道功率MOSFET具有169A連續(xù)漏極電流、3.1mΩ（10V RDS (ON)時）以及100V漏極-源極電壓。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm扁平引線封裝，開發(fā)用于緊湊高效的設(shè)計。安森美半導(dǎo)體符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET具有PPAP功能，非常適合用于汽車應(yīng)用。
特性

_占位面積小(5mm x 6mm)，設(shè)計緊湊
_低RDS (on)，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗
_QG 和電容較小，可使驅(qū)動器損耗最小化
_可濕性側(cè)翼產(chǎn)品

_符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能
_無鉛、無鹵/無BFR、無鈹，符合RoHS指令

應(yīng)用

_48V系統(tǒng)
_開關(guān)電源
_反向電池保護(hù)

_電源開關(guān)（高側(cè)驅(qū)動器、低側(cè)驅(qū)動器、H橋等）

規(guī)范

_連續(xù)漏極電流: 169A（最大值）
_10V時為3.1mΩ，4.5V RDS (ON) 最大值為3.8mΩ
_漏極-源極電壓：100V
_柵極-源極電壓：±20V

_脈沖漏極電流：900A
_工作結(jié)溫和存放溫度范圍：-55°C至175°C