M95P08-x超低功耗串行SPI頁(yè)面 EEPROM

STMicroelectronics M95P08-x超低功耗串行SPI頁(yè)面EEPROM采用先進(jìn)的專有NVM技術(shù)。M95P08-x具有字節(jié)靈活性、頁(yè)面可更改性、高頁(yè)面循環(huán)性性能，以及等同于EEPROM技術(shù)的超低功耗。這些8-MbSPI頁(yè)面EEPROM器件組織為2048可編程頁(yè)面，每個(gè)頁(yè)面512字節(jié)，可通過SPI總線訪問，具有高性能雙路和四路SPI輸出。該器件提供兩個(gè)額外的（識(shí)別）512字節(jié)頁(yè)面：一個(gè)包含識(shí)別數(shù)據(jù)，并根據(jù)要求包含UID；第二個(gè)可用于存儲(chǔ)敏感的 應(yīng)用參數(shù)（可永久鎖定為只讀模式）。附加狀態(tài)、配置和易失性寄存器設(shè)置所需的設(shè)備配置，而安全寄存器則提供有關(guān)設(shè)備狀態(tài)的信息。

M95P08-I的工作電源電壓范圍為1.6至3.6 V，環(huán)境溫度范圍為-40°C至+85°C。M95P08-E的擴(kuò)展溫度范圍為-40°C至+105°C，支持高達(dá)80MHz的時(shí)鐘頻率。STMicroelectronics M95P08-x頁(yè)面 EEPROM具有高達(dá)512字節(jié)的字節(jié)和頁(yè)寫入指令。寫入指令包括自定時(shí)自動(dòng)擦除和編程操作，從而實(shí)現(xiàn)靈活的數(shù)據(jù)字節(jié)管理。也接受頁(yè)面/塊/扇區(qū)/芯片擦除命令，并將存儲(chǔ)器設(shè)置為擦除狀態(tài)。存儲(chǔ)器可通過512字節(jié)頁(yè)面進(jìn)行快速編程，還可使用帶有緩沖器負(fù)載指令的頁(yè)面程序進(jìn)一步優(yōu)化，以隱藏SPI通信延遲。
特性

_接口
_支持串行外設(shè)接口 (SPI) 和雙路/四路輸出
_1.6V至3.6V寬范圍
_溫度范圍
_工業(yè)溫度范圍：-40°C至+85°C
_擴(kuò)展溫度范圍：-40°C至+105°C
_閱讀
_單輸出讀?。?0MHz
_單路/雙路/四路輸出（帶一個(gè)空字節(jié)）的快速讀?。?0MHz
_存儲(chǔ)器
_8MB頁(yè)面EEPROM
_64Kb區(qū)，4Kb扇區(qū)
_頁(yè)面尺寸：512字節(jié)
_2x識(shí)別頁(yè)面
_在整個(gè)溫度范圍內(nèi)500k次寫入循環(huán)
_數(shù)據(jù)保留
_100年
_50萬次后10年
_超低功耗
_深度掉電模式下典型值為0.6μA
_待機(jī)模式下典型值為16μA
_10MHz時(shí)讀取單電流典型值為800μA
_頁(yè)面寫入典型值：1.5mA
_電流峰值控制<3mA

_高寫入/擦除性能
_快速寫入/編程/擦除時(shí)間
_512字節(jié)的字節(jié)和頁(yè)面寫入（包括自動(dòng)擦除和編程）典型值：2ms
_頁(yè)面程序：1.2ms（典型值）(512字節(jié))
_頁(yè)面擦除典型值：1.1ms
_扇區(qū)擦除典型值：1.3ms
_塊擦除典型值：4ms
_芯片擦除典型值：4ms
_頁(yè)面程序，帶緩沖負(fù)載
_ECC，實(shí)現(xiàn)高內(nèi)存可靠性（DEC、TED）
_用于噪聲過濾的施密特觸發(fā)器輸入
_輸出緩沖器可編程強(qiáng)度
_ISO26262工作狀態(tài)標(biāo)志
_軟件重置
_按塊進(jìn)行寫保護(hù)，提供頂部/底部選項(xiàng)
_應(yīng)要求提供唯一ID
_電子標(biāo)識(shí)
_支持串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP) 模式
_JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商標(biāo)識(shí)
_增強(qiáng)型ESD保護(hù)HBM（人體模型）
_ECOPACK2型2mm x 3mm DFN8、SO8N或WLCSP8封裝
_無鹵，符合RoHS指令

應(yīng)用

_可穿戴設(shè)備
_智能手表
_健身追蹤器
_資產(chǎn)跟蹤
_貨物保證
_實(shí)時(shí)監(jiān)控

_醫(yī)療和保健
_助聽器
_血糖計(jì)
_血壓計(jì)
_植入式設(shè)備