盡管目前市場上碳化硅（SiC）襯底供應(yīng)仍然以6英寸為主，8英寸尚未大規(guī)模普及，但國內(nèi)SiC襯底頭部廠商普遍都在積極進(jìn)軍8英寸。近日，又有一家知名廠商旗下8英寸SiC襯底項目迎來新進(jìn)展。
1月30日，山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱中晶芯源）8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目正式備案。據(jù)悉，該項目于2023年6月12日落地山東濟(jì)南，計劃在2025年滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)，成立于2023年5月的中晶芯源是該項目的主建方。
source：山東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺
股東信息顯示，中晶芯源由廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡稱南砂晶圓）全資控股，后者成立于2018年8月，從事SiC單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品主要以6英寸半絕緣和N型SiC襯底為主。
source：企查查
近年來，在8英寸SiC襯底熱度持續(xù)上漲趨勢下，南砂晶圓積極投身8英寸賽道。2022年9月8日，南砂晶圓聯(lián)合山東大學(xué)成功實現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴(kuò)徑制備了8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶，并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC襯底。
source：南砂晶圓
據(jù)介紹，經(jīng)測試表征，上述襯底微管密度小于0.3/cm2，4H-SiC晶型比例100%，電阻率平均值22mΩ?cm，不均勻性小于4%，襯底(004)面高分辨XRD 5點搖擺曲線半峰寬平均值32.7弧秒，說明襯底具有良好的結(jié)晶質(zhì)量，邊緣擴(kuò)徑區(qū)域沒有小角度晶界缺陷。
技術(shù)突破也在一定程度上助推南砂晶圓成為資本市場重點關(guān)注對象，過去兩年多時間，南砂晶圓已相繼完成5輪融資，包括今年1月剛剛完成的C輪融資，投資方包括華民基金、天堂硅谷、華訊方舟基金、揚(yáng)子江基金、魯信創(chuàng)投等機(jī)構(gòu)。
項目方面，南砂晶圓還在廣州南沙區(qū)布局了SiC項目，總投資9億元，該項目2023年4月已經(jīng)試投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片。
項目備案意味著南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目正式啟動，隨著項目建成達(dá)產(chǎn)，將有利于南砂晶圓未來在SiC襯底全面轉(zhuǎn)型8英寸后搶占先機(jī)。
來源：集邦化合物半導(dǎo)體 原作者：Zac
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
