制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.5 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 89.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 320 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: PowerMESH
系列: STW9N150
封裝: Tube
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時(shí)間: 52 ns
高度: 20.15 mm
長度: 15.75 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 14.7 ns
600
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 86 ns
典型接通延遲時(shí)間: 41 ns
寬度: 5.15 mm
單位重量: 6 g
