據(jù)江寧發(fā)布消息，目前，國博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化二期項目正在進行地下室主體結(jié)構(gòu)施工。該項目總投資10億元，總建筑面積約15.9萬平方米，預(yù)計明年7月份主體封頂，2026年正式投產(chǎn)。
消息稱，該項目落戶江寧開發(fā)區(qū)，由中國電子科技集團公司第五十五研究所控股子公司南京國博電子有限公司投資建設(shè)。項目主要包括廠房及相關(guān)附屬設(shè)施，重點補充射頻集成電路封測制造能力，建成后與一期形成射頻集成電路規(guī)?；O(shè)計、制造能力，努力打造成為寬禁帶半導(dǎo)體器件及模塊國內(nèi)最大供應(yīng)商、5G通信技術(shù)國內(nèi)發(fā)展主要引領(lǐng)者。
該項目將發(fā)揮五十五所在半導(dǎo)體外延材料、射頻集成電路設(shè)計、第二、三代半導(dǎo)體射頻集成電路產(chǎn)業(yè)等方面的突出優(yōu)勢，打造涵蓋材料、設(shè)計、加工、封裝測試的全產(chǎn)業(yè)鏈射頻集成電路產(chǎn)業(yè)集群。
來源：全球半導(dǎo)體觀察整理
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
