1月25日，聯(lián)電與英特爾共同宣布，雙方將合作在英特爾美國亞利桑那州廠開發(fā)和制造12nm制程平臺，以因應行動、通訊基礎建設和網(wǎng)絡等市場快速成長需求。
圖片來源：英特爾官網(wǎng)截圖
兩家公司表示，將致力滿足客戶需求，通過生態(tài)系合作伙伴提供的EDA和知識產(chǎn)權IP解決方案，合作支援12nm制程的設計實現(xiàn)，12nm制程預計在2027年投入生產(chǎn)。據(jù)了解，聯(lián)電與英特爾合作開發(fā)的12nm制程，將在英特爾位于美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發(fā)和制造，透過運用晶圓廠的現(xiàn)有設備，大幅降低前期投資，并最佳化利用率。
聯(lián)電表示，與英特爾這項長期合作，是結合英特爾位于美國的大規(guī)模制造產(chǎn)能，和聯(lián)電在成熟制程上豐富的晶圓代工經(jīng)驗，以擴充制程組合，同時提供更佳的區(qū)域多元且具韌性的供應鏈，協(xié)助全球客戶做出更好的采購決策。
英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務（IFS）總經(jīng)理潘（Stuart Pann）表示，雙方策略合作展現(xiàn)為全球半導體供應鏈提供技術和制造創(chuàng)新的承諾，也是實現(xiàn)英特爾在2030年成為全球第2大晶圓代工廠的重要一步。
聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，聯(lián)電與英特爾在美國合作制造12nm鰭式場效電晶體FinFET制程，是追求具成本效益的產(chǎn)能擴張，和技術升級策略的重要一環(huán)。并稱，這項合作將協(xié)助客戶順利升級到12nm制程技術，同時受惠擴展位于北美市場產(chǎn)能帶來的供應鏈韌性。聯(lián)電期待與英特爾策略合作，利用雙方互補優(yōu)勢，擴大潛在市場，同時大幅加快技術發(fā)展時程。
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，在2023年第三季度晶圓代工市場中，聯(lián)電以6.0%市占率占據(jù)全球第四的位置，而英特爾晶圓代工服務（IFS）則為1.0%，居位全球第九。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
