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          瑞薩電子收購GaN供應(yīng)商Transphorm,預(yù)計(jì)2024年下半年完成

          2024-1-12 10:02:00
          • 1月11日,瑞薩電子與氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議。

          瑞薩電子收購GaN供應(yīng)商Transphorm,預(yù)計(jì)2024年下半年完成

          1月11日,瑞薩電子與氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議。

          根據(jù)該協(xié)議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股,較Transphorm在2024年1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%,較過去十二個(gè)月的成交量加權(quán)平均價(jià)格溢價(jià)約56%,較過去六個(gè)月的成交量加權(quán)平均價(jià)格溢價(jià)約78%。此次交易對(duì)Transphorm的估值約為3.39億美元。

          據(jù)披露,Transphorm董事會(huì)已一致批準(zhǔn)最終協(xié)議,并建議Transphorm股東通過該最終交易并批準(zhǔn)合并。在簽署最終協(xié)議的同時(shí),持有Transphorm約38.6%已發(fā)行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已與瑞薩簽訂慣例投票協(xié)議以支持本次交易。

          該交易預(yù)計(jì)將于2024年下半年完成,但需獲得Transphorm股東的批準(zhǔn)、監(jiān)管部門的許可和其他慣例成交條件的滿足。

          資料顯示,Transphorm為高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)和制造高性能和高可靠性的GaN半導(dǎo)體,擁有超過1000項(xiàng)自有或許可專利的功率GaN IP產(chǎn)品組合,生產(chǎn)業(yè)界首款符合JEDEC和AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的高壓GaN半導(dǎo)體器件。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子技術(shù)突破了硅的限制,實(shí)現(xiàn)了超過99%的效率、提高了50%的功率密度并降低了20%的系統(tǒng)成本。Transphorm總部位于加利福尼亞州戈利塔,并在日本會(huì)津和戈利塔設(shè)有制造工廠。

          瑞薩電子表示,此次收購將為公司提供GaN(功率半導(dǎo)體的下一代關(guān)鍵材料)的內(nèi)部技術(shù),從而擴(kuò)展其在電動(dòng)汽車、計(jì)算(數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施)、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場(chǎng)的業(yè)務(wù)范圍。

          據(jù)悉,瑞薩電子將采用Transphorm的汽車級(jí)GaN技術(shù)來開發(fā)新的增強(qiáng)型電源解決方案,例如用于電動(dòng)汽車的X-in-1動(dòng)力總成解決方案,以及面向計(jì)算、能源、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的解決方案。

          作為碳中和的基石,對(duì)高效電力系統(tǒng)的需求正在不斷增加。為了應(yīng)對(duì)這一趨勢(shì),相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在向以碳化硅(SiC)和GaN為代表的寬禁帶(WBG)材料過渡。這些先進(jìn)材料比傳統(tǒng)硅基器件具備更廣泛的電壓和開關(guān)頻率范圍。在此勢(shì)頭下,瑞薩電子已宣布建立一條內(nèi)部SiC生產(chǎn)線,并簽署了為期10年的SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議。

          碳化硅方面,TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化,將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元,年成長41.4%。并預(yù)期,至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)??赏_(dá)53.3億美元,其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源。

          而GaN功率元件市場(chǎng)的發(fā)展主要由消費(fèi)電子所驅(qū)動(dòng),核心仍在于快速充電器,其他消費(fèi)電子場(chǎng)景還包括D類音頻、無線充電等。此前業(yè)界人士認(rèn)為,氮化鎵已經(jīng)到了一個(gè)新的拐點(diǎn),不僅可以應(yīng)用于充電器快充市場(chǎng),還可以用于儲(chǔ)能、充電站等領(lǐng)域。

          據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告 - Part1》顯示,全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金,復(fù)合增長率高達(dá)65%。

          封面圖片來源:拍信網(wǎng)


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