STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽車級(jí)N通道MDmesh DM6半橋拓?fù)涔β蔒OSFET，提供650V阻斷電壓。該功率MOSFET符合AQG 324標(biāo)準(zhǔn)， 采用ACEPACK SMIT低電感封裝。SH63N65DM6AG功率MOSFET具有極低開關(guān)能量、低熱阻以及3.4kVrms/min隔離等級(jí)。該功率MOSFET具有dice-on直接接合銅 (DBC) 基板，有助于封裝提供 低熱阻以及隔離式頂部散熱焊盤。SH63N65DM6AG MOSFET采用具有高設(shè)計(jì)靈活性的封裝，可通過不同組合的內(nèi)部電源開關(guān)實(shí)現(xiàn)多種配置，包括相臂、升壓和單開關(guān)。該功率MOSFET非常適合用于開關(guān)應(yīng)用。
特性
_符合AQG 324標(biāo)準(zhǔn)
_半橋電源模塊
_650V阻斷電壓
_快速恢復(fù)體二極管
_開關(guān)能量極低
_低電感封裝
_直接結(jié)合銅（DBC）襯底上的小塊
_低熱阻
_隔離額定值為3.4kVrms/最小值
規(guī)范
_±25VGS 柵源電壓
_漏極電流：170A（脈沖）
_424W耗散功率，在TC= 25°C時(shí)
_0.29°C/W熱阻（結(jié)點(diǎn)至外殼）
_6A雪崩電流
_778mJ單脈沖雪崩能量
_100V/ns峰值二極管恢復(fù)電壓斜坡
_1000A/μs峰值二極管恢復(fù)電流斜坡
_工作溫度范圍：-55°C至150°C
