英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。
相較之下，臺(tái)積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略，業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì)采用High-NA EUV光刻機(jī)。
業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺(tái)積電暫時(shí)觀望的原因，臺(tái)積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。High-NA EUV 需要更高的光源功率才能驅(qū)動(dòng)更精細(xì)的曝光尺寸，這會(huì)加速投影光學(xué)器件和光罩的磨損，抵消了更高產(chǎn)能的優(yōu)勢(shì)。
而臺(tái)積電早在 2019 年就開(kāi)始在芯片量產(chǎn)中使用 EUV 光刻機(jī)，雖然比三星晚了幾個(gè)月，但是比英特爾早了幾年的時(shí)間。當(dāng)前，英特爾希望在 High-NA EUV 領(lǐng)域搶先三星和臺(tái)積電，以獲得一定的技術(shù)和戰(zhàn)略優(yōu)勢(shì)，增加客戶的青睞程度。
未來(lái)，隨著臺(tái)積電采用 High-NA EUV 光刻機(jī)，晶圓代工廠商先進(jìn)制程技術(shù)之爭(zhēng)又將如何發(fā)展，則需要后續(xù)持續(xù)觀察。
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