制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 13.8 A
Rds On-漏源導通電阻: 252 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 25.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 32 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
系列: CoolMOS P6
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 6 ns
高度: 16.15 mm
長度: 10.65 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 6 ns
500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 36 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
寬度: 4.85 mm
單位重量: 2 g
