1月2日，平煤神馬集團黨委書記、董事長李毛帶隊考察了乾晶半導體和浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院。浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院首席科學家楊德仁和乾晶半導體董事長皮孝東等接待了李毛一行，介紹了浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院在碳化硅（SiC）材料研究方面的成果，以及乾晶半導體在SiC材料產(chǎn)業(yè)化方面的進展。
考察期間，平煤神馬集團旗下中宜創(chuàng)芯與乾晶半導體簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將在推進行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新、高層次人才培養(yǎng)、以及SiC材料質(zhì)量標準建設(shè)等方面開展合作。
資料顯示，乾晶半導體于2020年7月成立于浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心，專注于第三代半導體材料領(lǐng)域，從事SiC單晶生長、晶片加工和設(shè)備開發(fā)。公司已與浙大科創(chuàng)中心先進半導體研究院成立聯(lián)合實驗室，共同承擔SiC材料的產(chǎn)業(yè)化任務(wù)。
SiC材料研發(fā)及項目進展方面，作為乾晶半導體全資子公司及生產(chǎn)基地，乾晶半導體（衢州）有限公司2023年10月發(fā)文稱，公司SiC襯底項目中試線主廠房已封頂。
據(jù)悉，乾晶半導體6英寸SiC襯底已經(jīng)通過客戶驗證，工藝技術(shù)將轉(zhuǎn)入衢州生產(chǎn)基地開展產(chǎn)業(yè)化，項目擬月產(chǎn)6英寸SiC襯底5千片，計劃于2024年二季度達產(chǎn)。同時，乾晶半導體8英寸SiC晶體生長技術(shù)于2023年四季度轉(zhuǎn)入蕭山研發(fā)中心進行中試。隨著衢州生產(chǎn)基地項目一期到三期的建成達產(chǎn)，乾晶半導體將逐步實現(xiàn)年產(chǎn)60萬片6/8英寸SiC襯底產(chǎn)能。
值得一提的是，2023年初，乾晶半導體宣布完成億元Pre-A輪融資，本輪融資由元禾原點領(lǐng)投，紫金港資本等機構(gòu)跟投，融資資金將用于公司SiC襯底的技術(shù)創(chuàng)新和批量生產(chǎn)。
中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月，是由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資控股集團共同出資設(shè)立的合資公司，主要開展電子級高純SiC粉體和SiC襯底的生產(chǎn)和經(jīng)營業(yè)務(wù)。
2023年9月21日，中宜創(chuàng)芯年產(chǎn)2000噸電子級SiC粉體項目啟動試生產(chǎn)。2023年國慶期間，經(jīng)權(quán)威機構(gòu)檢測，中宜創(chuàng)芯首爐SiC產(chǎn)品純度為99.99996%，達到國內(nèi)優(yōu)等品標準。
與中宜創(chuàng)芯戰(zhàn)略合作，有助于乾晶半導體獲得SiC原材料供應(yīng)，進而鞏固自身的SiC襯底產(chǎn)能。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
