據(jù)無(wú)錫高新區(qū)在線消息，2024年江蘇省重大項(xiàng)目清單新鮮出爐。無(wú)錫高新區(qū)共有華虹集成電路二期一階段、阿特拉斯?科普柯研發(fā)制造中國(guó)總部項(xiàng)目等9個(gè)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目列入“實(shí)施項(xiàng)目”清單，同期增長(zhǎng)3個(gè)。總投資324.5億元，同比增長(zhǎng)44.3%，年度計(jì)劃投資86億元，同比增長(zhǎng)72%。
其中，集成電路產(chǎn)業(yè)代表性項(xiàng)目包括無(wú)錫華虹集成電路二期一階段、無(wú)錫華潤(rùn)迪思高端掩模項(xiàng)目、無(wú)錫新潔能總部及產(chǎn)業(yè)化基地、無(wú)錫偉測(cè)半導(dǎo)體晶圓測(cè)試項(xiàng)目等。智能裝備產(chǎn)業(yè)代表性項(xiàng)目包括無(wú)錫先導(dǎo)集成電路工藝設(shè)備項(xiàng)目等。
此外，2023年，無(wú)錫高新區(qū)6個(gè)省重大項(xiàng)目完成投資超100億元，滾動(dòng)實(shí)施61個(gè)市重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目完成投資超350億元。全年列市五百工程新開(kāi)工項(xiàng)目25個(gè)，竣工投產(chǎn)項(xiàng)目17個(gè)。
無(wú)錫華虹集成電路二期一階段
華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司是華虹集團(tuán)在上海以外的第一個(gè)集成電路研發(fā)制造基地，是國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金在無(wú)錫投資的第一個(gè)超大規(guī)模集成電路制造項(xiàng)目。
2018年3月2日，華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地項(xiàng)目（一期）開(kāi)工，2019年9月17日，華虹無(wú)錫項(xiàng)目（一期）12英寸生產(chǎn)線建成投片，一期項(xiàng)目建成一條月產(chǎn)能為4萬(wàn)片的12英寸特色集成電路生產(chǎn)線。2021年5月，華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地一期項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)、提前實(shí)現(xiàn)月投片4萬(wàn)片目標(biāo)。
2023年6月30日，華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項(xiàng)目開(kāi)工。二期項(xiàng)目由華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司承擔(dān)，用地373.5畝，總建筑面積約51萬(wàn)平方米，總投資67億美元，建設(shè)一條工藝等級(jí)65/55-40nm、月產(chǎn)能達(dá)到8.3萬(wàn)片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產(chǎn)線。
二期項(xiàng)目聚焦車(chē)規(guī)級(jí)芯片，對(duì)非易失性存儲(chǔ)器、電源管理、功率器件等工藝領(lǐng)域進(jìn)行深入布局和研發(fā)，持續(xù)提升在新能源汽車(chē).物聯(lián)網(wǎng)、新能源、智能終端等領(lǐng)域的應(yīng)用。
無(wú)錫華潤(rùn)迪思高端掩模項(xiàng)目
華潤(rùn)微電子有限公司是國(guó)內(nèi)最早從事半導(dǎo)體光掩模制造的專(zhuān)業(yè)企業(yè)，擁有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的光掩模制造設(shè)備及工藝技術(shù)。企業(yè)先后獲得國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)、國(guó)家專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)、無(wú)錫市瞪羚遴選企業(yè)等榮譽(yù)。
資料顯示，無(wú)錫迪思微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“無(wú)錫迪思”）成立于2012年，注冊(cè)資本13676.9231萬(wàn)人民幣，總部位于江蘇無(wú)錫，是國(guó)內(nèi)最早從事光掩模制造的專(zhuān)業(yè)企業(yè)。迪思微電子的前身是原中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司的制版組與中央研究所三室合并組建的掩模制造中心，最早成立于1989年。2002年華潤(rùn)收購(gòu)華晶集團(tuán)后，成為華潤(rùn)微電子有限公司旗下獨(dú)立開(kāi)展光掩模代工業(yè)務(wù)的全資子公司。
此前據(jù)國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)無(wú)錫產(chǎn)業(yè)化基地消息，無(wú)錫迪完成B輪5.2億股權(quán)融資，由中金資本、中信證券投資、珩創(chuàng)投資等機(jī)構(gòu)共同參與。本輪融資資金將用于無(wú)錫迪思高端掩模項(xiàng)目的28nm產(chǎn)能建設(shè)。
無(wú)錫迪思高端掩模項(xiàng)目于2022年底動(dòng)工，預(yù)計(jì)2023年底設(shè)備Move in，產(chǎn)線將于2024年上半年完成安裝調(diào)試并通線。
無(wú)錫高新區(qū)在線消息稱(chēng)，該項(xiàng)目不新增用地，擬在原有地塊內(nèi)新建廠房，總建筑面積32279平方米，引進(jìn)設(shè)備新建產(chǎn)線。達(dá)產(chǎn)后，企業(yè)將具備90~28nm掩模制造能力，待高端掩模項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后，光掩模版月產(chǎn)能將達(dá)5000片，年產(chǎn)能60000片。
無(wú)錫新潔能總部及產(chǎn)業(yè)化基地
無(wú)錫新潔能股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“新潔能”）是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，擁有江蘇省功率器件工程研究中心，并獲得了國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)稱(chēng)號(hào)，連續(xù)七年被中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)評(píng)為中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)。
資料顯示，新潔能成立于2013年1月，專(zhuān)注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷(xiāo)售，產(chǎn)品優(yōu)質(zhì)且系列齊全，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)電子、新能源汽車(chē)及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域。
目前，新潔能擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體、國(guó)硅集成電路四家子公司以及深圳分公司、寧波分公司。
無(wú)錫新潔能總部及產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目新增用地約47.5畝，建筑面積約7萬(wàn)平方米，用于第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測(cè)、功率驅(qū)動(dòng)IC及智能功率模塊（IPM）、SIC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊（含車(chē)規(guī)級(jí)）的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。
無(wú)錫偉測(cè)半導(dǎo)體晶圓測(cè)試項(xiàng)目
無(wú)錫偉測(cè)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“無(wú)錫偉測(cè)”）是上海偉測(cè)半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“偉測(cè)半導(dǎo)體”）的全資子公司，上海偉測(cè)是國(guó)內(nèi)第一大晶圓及芯片測(cè)試企業(yè)，先后獲得上海市高新技術(shù)企業(yè)、上海市企業(yè)技術(shù)中心、國(guó)家專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)等殊榮。
無(wú)錫偉測(cè)半導(dǎo)體晶圓測(cè)試項(xiàng)目新增用地38.3畝，總建筑面積約56204.29平方米，依托自身強(qiáng)大的IT能力及自主研發(fā)的測(cè)試程序，為集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域客戶提供專(zhuān)業(yè)的、定制化的晶圓及芯片成品測(cè)試服務(wù)。
據(jù)偉測(cè)半導(dǎo)體去年11月公告，偉測(cè)半導(dǎo)體無(wú)錫集成電路測(cè)試基地項(xiàng)目擬建設(shè)集成電路測(cè)試線，實(shí)施主體為無(wú)錫偉測(cè)，建設(shè)周期為60個(gè)月，擬選址于江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)。
公告顯示，無(wú)錫偉測(cè)“偉測(cè)半導(dǎo)體無(wú)錫集成電路測(cè)試基地項(xiàng)目”的投資額為9.8億元，偉測(cè)半導(dǎo)體擬使用部分超募資金1.5億元向無(wú)錫偉測(cè)增資以實(shí)施該項(xiàng)目，剩余資金由無(wú)錫偉測(cè)通過(guò)使用自有資金或自籌資金的方式進(jìn)行解決。
無(wú)錫先導(dǎo)集成電路工藝設(shè)備項(xiàng)目
先導(dǎo)集團(tuán)立足無(wú)錫，致力于先進(jìn)制造全領(lǐng)域的高端裝備，其投資布局的企業(yè)形成了以集成電路特色裝備、高端材料、核心零部件為主，聚焦先進(jìn)工藝制程的產(chǎn)業(yè)集群。
無(wú)錫先導(dǎo)集成電路工藝設(shè)備項(xiàng)目用地面積約132.7畝，總建筑面積約16萬(wàn)平方米，用以承接300mm高端半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，以及MOCVD集成電路外延生長(zhǎng)設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，填補(bǔ)該領(lǐng)域無(wú)國(guó)產(chǎn)設(shè)備的空白。
封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)
