零件編號(hào)
IRF1010EPBF-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商產(chǎn)品編號(hào)
IRF1010EPBF
描述
MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
詳細(xì)描述
通孔 N 通道 60 V 84A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
EDA/CAD 模型
IRF1010EPBF 型號(hào)
產(chǎn)品屬性
類型
描述
全選
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管
FET，MOSFET
單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設(shè)計(jì)
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
84A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
12 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
3210 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
基本產(chǎn)品編號(hào)
IRF1010
