隨著AI、大數(shù)據(jù)等技術(shù)不斷普及，業(yè)界對DRAM芯片要求持續(xù)上升，為提升性能與容量，存儲器大廠紛紛瞄準(zhǔn)先進(jìn)制程技術(shù)。
近期，美光對外透露了先進(jìn)DRAM技術(shù)進(jìn)展。日媒報道，12月13日美光日本法人高層Joshua Lee對外表示，美光日本廣島工廠將在2025年生產(chǎn)最先進(jìn)存儲器1γ DRAM。Joshua Lee指出，美光將成為第一家將EUV（極紫外光）光刻機(jī)導(dǎo)入日本的半導(dǎo)體企業(yè)。此外，美光還計劃在廣島工廠生產(chǎn)生成式AI用HBM。
稍早之前，美光還對外透露，1α與1β DRAM以及176、232層NAND Flash占據(jù)位元出貨主力，美光首次采用極紫外光制程技術(shù)的1γ DRAM進(jìn)展順利，預(yù)計2025年量產(chǎn)。下一代NAND Flash同樣進(jìn)展順利。
其他廠商方面，今年5月30日，SK海力士宣布已完成現(xiàn)有DRAM中最為微細(xì)化的第五代10納米級（1b）技術(shù)研發(fā)，并將適用其技術(shù)的DDR5服務(wù)器DRAM提供于英特爾公司（Intel?）開始了“英特爾數(shù)據(jù)中心存儲器認(rèn)證程序。該公司表示，明年上半年將把1b工藝擴(kuò)大適用于LPDDR5T、HBM3E等高性能產(chǎn)品。
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