光刻機大廠ASML宣布，與韓國三星電子簽署備忘錄，將共同投資1萬億韓元在韓國建立研究中心，并將利用下一代極紫外（EUV）光刻機研究先進(jìn)半導(dǎo)體制程技術(shù)。
值得一提的是，上個月初有消息表示，三星電子在五年內(nèi)從ASML采購50套設(shè)備，每套單價約為2000億韓元，總價值可達(dá)10萬億韓元。
三星電子于2022年6月推出了全球首個采用全柵極（GAA）技術(shù)的3納米半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)后，三星一直在努力確保能采購更多EUV光刻機，目標(biāo)是使該公司能在2024年上半年進(jìn)入第二代3納米制程技術(shù)，2025年進(jìn)入2納米制程技術(shù)，并在2027年進(jìn)入1.4納米半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域。
正因如此，三星集團(tuán)董事長李在镕在2022年6月訪問了ASML總部，與ASML執(zhí)行長Peter Bennink討論了EUV的采購問題，并在同年11月與訪問韓國的Peter Bennink進(jìn)行了進(jìn)一步會談。鑒于EUV光刻機從下訂到交貨的時間至少需要一年，當(dāng)時的會面討論開始在現(xiàn)在開花結(jié)果。
另外，先前ASML也曾經(jīng)表示，計劃在2023年底前發(fā)表首臺商用High-NA （NA=0.55） EUV光刻機，并在2025年量產(chǎn)出貨。這使得自2025年開始，客戶就能從數(shù)值孔徑為0.33傳統(tǒng)EUV多重圖案化，切換到數(shù)值孔徑為0.55 High-NAEUV單一圖案化，降低制程成本，提高產(chǎn)量。目前，預(yù)估 High-NA EUV 曝光季將會有五大客戶，包括英特爾、臺積電、三星、美光等。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
