據“ BIWIN佰維”消息，近日，深圳佰維存儲科技股份有限公司的晶圓級先進封測制造項目正式落地東莞松山湖高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)，簽約儀式在東莞市舉辦。
佰維存儲表示，落地晶圓級先進封測項目有利于公司產品實現(xiàn)更大的帶寬、更高的速度、更靈活的異構集成以及更低的能耗，賦能移動消費電子、高端超級計算、游戲、人工智能和物聯(lián)網等應用領域的客戶。
佰維存儲掌握16層疊Die、30~40μm超薄Die、多芯片異構集成等先進封裝工藝，為NAND、DRAM芯片和SiP封裝產品的創(chuàng)新力及大規(guī)模量產提供支持。
目前，佰維存儲已構建成建制的、具備國際化視野的專業(yè)晶圓級先進封裝技術和運營團隊，并與廣東工業(yè)大學省部共建精密電子制造技術與裝備國家重點實驗室（廣工大國重實驗室）等高校達成戰(zhàn)略合作，共同推動大灣區(qū)發(fā)展晶圓級先進封測技術，賦能項目實施和商業(yè)成功。
晶圓級先進封測系介于前道晶圓制造與后道封裝測試之間的半導體制造中道工序，采用光刻，刻蝕，電鍍，PVD，CVD，CMP，Strip等前段晶圓制造工序，以實現(xiàn)凸塊（Bumping），重布線（RDL），扇入（Fan-in），扇出（Fan-out），硅通孔（TSV）等工藝技術，不僅可以將芯片直接封裝在晶圓上，節(jié)省物理空間，還能夠將多個芯片集成在同一個晶圓上，實現(xiàn)更高的集成度。晶圓級先進封測技術是當前半導體產業(yè)的重點發(fā)展方向之一，其廣泛應用將進一步推動電子設備的發(fā)展和智能化進程。
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