11月28日，廣東東莞市發(fā)展和改革局印發(fā)《東莞市促進半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)發(fā)展若干政策》（以下簡稱“《若干政策》”），打造半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展新高地，推動經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展。本政策自印發(fā)之日起實施，有效期3年。
《若干政策》分別列出了四個政策措施，包括支持企業(yè)引進和培育、支持產(chǎn)品研發(fā)和應(yīng)用、加大金融支持力度、支持專業(yè)人才引進和培養(yǎng)。
其中，在打造特色產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)方面：以松山湖片區(qū)、濱海灣新區(qū)、臨深新一代電子信息產(chǎn)業(yè)基地為核心區(qū)域，突出以應(yīng)用為牽引，積極引進培育高端芯片、先進封裝測試、半導(dǎo)體元器件、半導(dǎo)體裝備生產(chǎn)、化合物半導(dǎo)體項目，打造集成電路與芯片集聚特色發(fā)展高地。支持第三代半導(dǎo)體、集成電路設(shè)計、先進封測、半導(dǎo)體裝備等特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)，對于產(chǎn)業(yè)特色突出、服務(wù)功能健全、產(chǎn)值增長較快的產(chǎn)業(yè)園區(qū)，經(jīng)認定給予最高1000萬元獎勵。
加強企業(yè)成長激勵：對半導(dǎo)體及集成電路設(shè)計研發(fā)類企業(yè)，年度營業(yè)收入首次突破1億元、3億元、5億元、10億元、20億元的企業(yè)，分別給予不超過100萬元、200萬元、300萬元、400萬元、500萬元的一次性獎勵。對半導(dǎo)體及集成電路制造、封裝測試、化合物半導(dǎo)體、裝備及材料企業(yè)，年度營業(yè)收入首次突破3億元、5億元、10億元、20億元、30億元的，分別給予不超過100萬元、200萬元、300萬元、400萬元、500萬元的一次性獎勵。每上一個臺階獎勵一次。
支持關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)：支持半導(dǎo)體及集成電路企業(yè)在高端芯片、先進封裝測試、化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域開展具有重大創(chuàng)新性和突破性的技術(shù)研發(fā)項目，納入《東莞市重大科技項目實施辦法（試行）》獎勵范圍的，按照不超過總投入的25%給予最高3000萬元獎勵。
支持企業(yè)購買設(shè)計工具和IP：對半導(dǎo)體及集成電路設(shè)計企業(yè)購買EDA設(shè)計工具軟件的，按照不超過實際發(fā)生費用的30%給予資助，其中購買國產(chǎn)EDA設(shè)計工具軟件的，按照不超過實際發(fā)生費用的50%給予資助，每個企業(yè)年度總額不超過300萬元。對企業(yè)購買IP開展高端芯片研發(fā)，給予不超過IP購買實際支付費用最高20%的資助，單個企業(yè)每年總額不超過200萬元。
支持企業(yè)開展首輪流片驗證：對開展多項目晶圓（MPW）流片的半導(dǎo)體及集成電路設(shè)計企業(yè)，按照不超過首輪流片費用（含IP授權(quán)、光罩制作、測試驗證）的60%給予補貼，年度補貼上限為300萬元。對首次完成全掩膜（FULLMASK）工程產(chǎn)品流片的企業(yè)，按照不超過首輪流片費用的50%給予補貼，年度補貼上限為500萬元。對填補我市芯片產(chǎn)業(yè)鏈空白的產(chǎn)品，流片補貼比例上浮不超過10%。
支持公共服務(wù)平臺和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺建設(shè)：支持高等院校、科研機構(gòu)和企業(yè)聯(lián)合建設(shè)產(chǎn)業(yè)公共服務(wù)平臺和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺，提供EDA工具、IP共享、設(shè)計服務(wù)、先進工藝流片、測試驗證、人才培訓(xùn)等服務(wù)。按照公共服務(wù)平臺和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺實際固定資產(chǎn)投資額不超過30%給予資助，最高資助3000萬元。
支持企業(yè)開展車規(guī)級認證：對產(chǎn)線或產(chǎn)品通過AEC-Q100（集成電路）、AEC-Q101（分立器件）、AEC-Q200（被動組件）可靠度標(biāo)準(zhǔn)及ISOTS 16949體系、ISO26262體系等汽車電子車規(guī)級認證的，給予每家企業(yè)實際認證費用不超過50%、最高100萬元的一次性補貼。
支持企業(yè)上市和并購：經(jīng)認定的上市后備企業(yè)，申請在境內(nèi)外證券交易所首次公開發(fā)行股票上市，且申請資料經(jīng)正式受理的，給予一次性300萬元獎勵，上市后首發(fā)融資獎勵最高限額600萬元。符合條件的上市公司通過兼并重組，合并或控制已設(shè)立的、持續(xù)經(jīng)營的企業(yè)，按其交易金額0.5%進行獎勵，單筆獎勵資金不超過200萬元。單家公司累計獎勵金額最高500萬元。
同時，在人才鼓勵方面，《若干政策》也列出了多項相關(guān)補貼要求。在加大高端人才引進力度方面：支持引進半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域重大創(chuàng)新團隊和行業(yè)領(lǐng)軍人才，符合條件的人才最高可獲得1000萬元的購房補貼及35萬元生活補助，并可享受科研、創(chuàng)業(yè)、居留和出入境、落戶、住房、醫(yī)療、社保、子女入學(xué)、稅收等方面的優(yōu)待。對引進的特殊緊缺人才實行“一人一策”靈活待遇政策。
加大專業(yè)人才支持力度：針對符合條件的半導(dǎo)體及集成電路材料、設(shè)計、先進封裝測試、裝備及零部件等關(guān)鍵環(huán)節(jié)企業(yè)，對其年度在莞扣繳申報應(yīng)納稅工資薪金收入超過50萬元且擔(dān)任技術(shù)研發(fā)或工程部門的經(jīng)理、功能主管、主任工程師、資深工程師、高級工程師或其他相應(yīng)職務(wù)的研發(fā)人才，按照其年度薪酬等情況給予獎勵，每人每年最高獎勵100萬元。
加大技能人才支持力度：對符合條件的半導(dǎo)體及集成電路制造、封裝測試、化合物半導(dǎo)體、裝備及材料企業(yè)，支持鍛造支撐半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的技能人才隊伍。對在半導(dǎo)體及集成電路生產(chǎn)制造中從事一線操作及維護并符合申報條件的人員，由企業(yè)自主選拔技術(shù)能手，給予每人每年最高10000元工作津貼。
加大技術(shù)人才培養(yǎng)力度：鼓勵半導(dǎo)體及集成電路企業(yè)開展職業(yè)技能等級認定，經(jīng)核準(zhǔn)，單個企業(yè)給予最高不超過85萬元補貼。支持駐莞高校、科研院所與半導(dǎo)體及集成電路企業(yè)建立半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域人才培養(yǎng)基地。對經(jīng)認定符合條件的人才培養(yǎng)基地項目，根據(jù)項目產(chǎn)出效益情況給予資助。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
