編號：863-NSV1C201MZ4T1G
制造商編號：
NSV1C201MZ4T1G
制造商：onsemi
客戶編號:
說明：
雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA
數(shù)據(jù)表:
NSV1C201MZ4T1G 數(shù)據(jù)表 (PDF)
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制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-4
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 100 V
集電極—基極電壓 VCBO: 140 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 7 V
集電極—射極飽和電壓: 180 mV
最大直流電集電極電流: 2 A
Pd-功率耗散: 800 mW
增益帶寬產(chǎn)品fT: 100 MHz
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
資格: AEC-Q101
系列: NSS1C201MZ4
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi
集電極連續(xù)電流: 2 A
直流電流增益 hFE 最大值: 360
產(chǎn)品類型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子類別: Transistors
技術(shù): Si
單位重量: 112 mg
