當?shù)貢r間11月9日，存儲大廠美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，速度高達8000MT/s，可支持當前和未來的數(shù)據(jù)中心工作負載。
據(jù)美光介紹，該產(chǎn)品采用美光1β(1-beta)技術，與競爭性3DS硅通孔(TSV)產(chǎn)品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高達24%、延遲降低高達16%、AI訓練性能提升高達28%。該產(chǎn)品旨在滿足數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中各種關鍵任務應用程序的性能和數(shù)據(jù)處理需求，包括人工智能(AI)、存儲數(shù)據(jù)庫(IMDB)）以及多線程、多核計數(shù)一般計算工作負載的高效處理。
美光32Gb DDR5內(nèi)存解決方案采用創(chuàng)新的芯片架構選擇，可實現(xiàn)領先的陣列效率和最密集的單片DRAM芯片。電壓域和刷新管理功能有助于優(yōu)化供電網(wǎng)絡，提供急需的能源效率改進。并優(yōu)化了芯片尺寸縱橫比，以提高32Gb高容量DRAM芯片的制造效率。
美光預計2024年發(fā)貨4800MT/s、5600MT/s和6400MT/s128GB RDIMM產(chǎn)品，未來將提升至8000MT/s。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
