STD8N60DM2芯片是一種功能強(qiáng)大的電子元件，它具有多種重要的功能和特性。該芯片采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計，用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中，為其提供穩(wěn)定的電力和性能支持。
首先，STD8N60DM2芯片具有高效的功率控制功能。它能夠有效地管理電流和電壓，確保設(shè)備在各種工作條件下都能夠正常運(yùn)行。這使得它在各種電力系統(tǒng)和應(yīng)用中都能發(fā)揮重要作用，提高了設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。
其次，該芯片還具有優(yōu)秀的熱管理能力。在高溫環(huán)境下，電子設(shè)備往往容易出現(xiàn)故障和損壞，而STD8N60DM2芯片能夠有效地控制和分散熱量，保持設(shè)備的正常工作溫度，從而延長了設(shè)備的使用壽命。
此外，STD8N60DM2芯片還具有快速響應(yīng)和高效能的特點(diǎn)。它能夠快速地響應(yīng)電力系統(tǒng)的變化，并且以高效的方式進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換和傳輸，從而提高了設(shè)備的性能和能效。
總的來說，STD8N60DM2芯片是一種功能強(qiáng)大的電子元件，它在功率控制、熱管理和能效方面都具有出色的表現(xiàn)。它的廣泛應(yīng)用將為各種電子設(shè)備和系統(tǒng)帶來穩(wěn)定的電力支持和優(yōu)異的性能表現(xiàn)。
品牌
ST/意法半導(dǎo)體
封裝
TO-252-3
批號
22+
數(shù)量
2789
制造商
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252-3
晶體管極性
N-Channel
通道數(shù)量
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
600 V
Id-連續(xù)漏極電流
8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
570 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓
30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓
3 V
Qg-柵極電荷
4 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
系列
STD8N60DM2
晶體管類型
1 N-Channel
單位重量
340 mg
可售賣地
全國
型號
STD8N60DM2
