近期，英特爾執(zhí)行長基辛格表示，英特爾可如期達(dá)成4年推進(jìn)5世代制程技術(shù)的目標(biāo)。Intel 7制程技術(shù)已大量生產(chǎn)，Intel 4制程也已經(jīng)量產(chǎn)，Intel 3制程準(zhǔn)備開始量產(chǎn)，Intel 20A制程將如期于2024年量產(chǎn)，Intel 18A制程將是5世代制程目標(biāo)的終極制程，已確定相關(guān)設(shè)計(jì)規(guī)則。
在AI、高性能計(jì)算等新興技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)先進(jìn)制程重要性日益凸顯，吸引臺(tái)積電、三星、英特爾積極布局。
臺(tái)積電方面，該公司N3X、2nm工藝計(jì)劃2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段。臺(tái)積電介紹，公司將在2nm制程節(jié)點(diǎn)首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，相較于N3E ，該工藝在相同功耗下，速度最快將可增加至15% ；在相同速度下，功耗最多可降低30% ，同時(shí)芯片密度增加大于15% 。
三星方面，該公司已量產(chǎn)第二代3nm芯片，并計(jì)劃2025年底前推出2nm制程、2027年底前推出1.4nm制程。今年10月媒體報(bào)道三星電子旗下晶圓代工事業(yè)Samsung Foundry 透露，已開始跟大型芯片客戶接洽，準(zhǔn)備提供1.4nm及2nm制程的服務(wù)。晶圓代工客戶大約需要3年才能做出最終購買決定。三星正在跟大客戶接洽，可能在未來幾年展現(xiàn)成果。
Samsung Foundry科技長Jeong Ki-tae表示，GAA制程是一種可以延續(xù)到未來的技術(shù)，鰭式場效電晶體（FinFET）制程則無法更加精進(jìn)，公司已在跟大客戶討論2nm、1.4nm等未來制程。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
