10月31日，三星電子公布了第三季度財(cái)報(bào)，數(shù)據(jù)顯示，公司第三季度營收為67.40萬億韓元 (約合人民幣3653億元)，同比下降約12%，但公司凈利潤達(dá)5.5萬億韓元，遠(yuǎn)超此前預(yù)期的2.52萬億韓元，同比降幅從第二季度的86%下降至40%，盈利情況有所改善。
存儲芯片業(yè)務(wù)呈現(xiàn)反彈跡象 據(jù)三星電子公開消息，此次業(yè)績表現(xiàn)超出預(yù)期的主要原因一是智能手機(jī)新品和高端顯示產(chǎn)品的銷售量增加，二是半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門（DS部門）的虧損收窄。 財(cái)報(bào)顯示，三星電子DS部門這一季度的虧損為3.75萬億韓元，低于前一季度虧損的4.36萬億韓元。虧損收窄的主要原因是三星電子此前選擇了減產(chǎn)策略。
三星電子作為存儲芯片的主要供給方之一，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性調(diào)整的環(huán)境下，其存儲芯片業(yè)務(wù)的波動對DS部門影響極大。在第一季度財(cái)報(bào)中，DS部門出現(xiàn)了虧損達(dá)4.58萬億韓元，同比虧損了13.03萬億韓元。在巨大的虧損壓力面前，三星電子在上半年針對DRAM和NAND兩種存儲器決定分別減產(chǎn)20%和30%，以期將仍有富裕的庫存調(diào)整至供需平衡的狀態(tài)。
當(dāng)下游企業(yè)庫存逐漸消化后，存儲可能迎來了反彈的曙光。三星電子曾于本月10日傳出消息稱，其9月已與客戶（包括小米、OPPO及谷歌）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較之前合同價(jià)格上調(diào)10%-20％。半導(dǎo)體行業(yè)專家張先揚(yáng)告訴《中國電子報(bào)》記者：“NAND漲價(jià)，從供給端看，是三星電子NAND
Flash大幅控產(chǎn)策略發(fā)揮積極效果；從需求端看，目前終端廠商已處于去庫存的后期，第四季度存儲需求市場已表現(xiàn)出復(fù)蘇態(tài)勢。”
簡言之，存儲市場供過于求的態(tài)勢在三星電子等企業(yè)堅(jiān)持減產(chǎn)的策略下有所改善?！皡⒖家酝闹芷诖蠖嗳绱恕！芷凇Q生的主要原因不僅是實(shí)際需求大量增加，還是需求和供給的時(shí)間錯(cuò)位?！卑雽?dǎo)體行業(yè)專家盛凌海向《中國電子報(bào)》記者表示，“因?yàn)樾酒a(chǎn)時(shí)間較長，如果預(yù)測做得不完善就會導(dǎo)致供過于求，最終變成庫存，從而導(dǎo)致新的需求減少。減產(chǎn)是消耗庫存的一種手段，庫存在清理殆盡后新需求重新浮現(xiàn)，供應(yīng)鏈即可再次增加產(chǎn)能?！?/section>
從第三季度的成績來看，縱然三星電子無法恢復(fù)到一年前的水平，但是相較上一季度已經(jīng)有了大幅提升。數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash第四季度合約價(jià)全面起漲，eMMC、UFS漲幅約10%-13%，此外MobileDRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估也將擴(kuò)大13-18%。三星電子表示，隨著DRAM和NAND中高密度產(chǎn)品的客戶庫存調(diào)整已經(jīng)完成，未來在個(gè)人電腦和移動設(shè)備上的需求將會有所改善。
高端技術(shù)產(chǎn)品仍是發(fā)力點(diǎn)
與傳統(tǒng)服務(wù)器需求表現(xiàn)平平相比，面向人工智能等高端產(chǎn)品的服務(wù)器需求仍舊強(qiáng)勁。
三星電子表示，由于DDR5和HBM等用于AI技術(shù)的高端存儲芯片需求持續(xù)高漲，DRAM產(chǎn)品在第二季度出貨量已經(jīng)超出預(yù)期。并且在第四季度，DS部門將會專注于高附加值產(chǎn)品的銷售，例如HBM3等。
一方面，DDR5和LPDDR5被傾注了更多關(guān)注。DDR5在帶寬速度、單片芯片密度、工作頻率上面相較DDR4有較大提升,更適用于數(shù)據(jù)中心、元宇宙、AI等新興領(lǐng)域的服務(wù)器產(chǎn)品。半導(dǎo)體行業(yè)專家張先揚(yáng)表示，DDR5和LPDDR5對比DDR4，其利潤空間和溢價(jià)空間更大，三星電子正在逐漸改變產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，這也是改善營收的一種手段。
另一方面，HMB的競爭進(jìn)入白熱化階段。三星電子在名為Icebolt的HBM3產(chǎn)品后繼續(xù)研發(fā)HBM3E，并命名為“Snowbolt”。在英偉達(dá)GPU與SK海力士的高帶寬存儲器深度合作的情況下，該產(chǎn)品可能會參與未來與海力士的競爭。同時(shí)，三星電子表示將于2024年繼續(xù)擴(kuò)大HBM3和HBM3E的生產(chǎn)和銷售，以滿足高性能和高帶寬這方面的需求。
除此之外，作為標(biāo)準(zhǔn)的IDM企業(yè)，三星電子也正努力“多路并進(jìn)”。在芯片設(shè)計(jì)上，三星電子曾于10月6日宣布將推出下一代旗艦處理器獵戶座Exynos2400。該系列芯片因前代Exynos2200因功耗散熱等問題導(dǎo)致市場表現(xiàn)不及預(yù)期，使得2300的研發(fā)計(jì)劃暫時(shí)擱淺。此次Exynos2400的預(yù)熱，被視作與高通在10月25日最新發(fā)布的驍龍8Gen3再次競爭，在三星電子未來將推出的S系列移動設(shè)備上，也將采用交替搭載的方式來觀察二者在全球市場上的表現(xiàn)。
代工業(yè)務(wù)方面，三星電子表示其基于GAA工藝的3nm晶圓已開始大規(guī)模生產(chǎn)。此前，率先應(yīng)用臺積電3nm工藝的蘋果iPhone，散熱問題難以解決，其原因在于臺積電3nm所使用的三面柵FinFET結(jié)構(gòu)（鰭式場效應(yīng)晶體管）導(dǎo)致短溝道效應(yīng)無法有效控制漏電現(xiàn)象。在頭部代工廠商突破4nm制程之后，三星電子當(dāng)前所使用的四面環(huán)繞式GAA架構(gòu)可能會成為保證能耗比的重要技術(shù)，但是當(dāng)前3nm所傳出的僅有60%左右的良率問題仍需三星電子等代工廠商嚴(yán)肅對待。
來源：中國電子報(bào)
