存儲(chǔ)器大廠三星分享 V-NAND（即 3D NAND）發(fā)展計(jì)劃，證實(shí) 2024 年將生產(chǎn)超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，這將是業(yè)界最高層數(shù)。
三星總裁暨存儲(chǔ)器事業(yè)部負(fù)責(zé)人Jung-bae Lee 在博客中寫道，第九代V-NAND基于雙層結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達(dá)到業(yè)界最高水平，將于明年初量產(chǎn)。
三星正開發(fā)超過300 層的第九代 V-NAND，保留三星 2020 年首次采用的雙層堆疊技術(shù)。三星不僅證實(shí)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器已步入正軌，其層數(shù)有望超過競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
Jung-Bae Lee 指出，三星還在研究下一代具價(jià)值的技術(shù)，包括最大限度提高 V-NAND 輸入/輸出 （I/O） 速度的新結(jié)構(gòu)。
雖然還不知道三星第 9 代 V-NAND 性能如何，但根據(jù)外媒報(bào)道，三星在即將推出的 SSD 中使用這種閃存。屆時(shí)，就能看到三星采用 PCIe Gen5 接口的零售 SSD——三星 990 Pro 系列后續(xù)產(chǎn)品。
報(bào)道指出，三星現(xiàn)在致力于大幅減少單元干擾、降低高度和最大限度地增加垂直層數(shù)，以實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最小單元尺寸。這些創(chuàng)新有助于推動(dòng)三星實(shí)現(xiàn)創(chuàng)建1,000層以上3D NAND和閃存解決方案，確保產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心、PC等應(yīng)用。
