10月12日，乾晶半導(dǎo)體（衢州）有限公司（以下簡稱“乾晶半導(dǎo)體（衢州）”）碳化硅襯底項目中試線主廠房結(jié)頂儀式在智造新城東港八路78號一期地塊舉行。
據(jù)此前消息，該項目總占地面積22畝，總建筑面積約19000平方米，第一期總投資約3億元，計劃建成碳化硅6/8英寸單晶生長和襯底加工的中試基地。第一期項目將在2023年底具備設(shè)備搬入條件。
乾晶半導(dǎo)體透露稱，隨著衢州生產(chǎn)基地項目一期到三期的分批建成，乾晶將逐步實現(xiàn)年產(chǎn)60萬片碳化硅6-8寸襯底供給能力。
乾晶半導(dǎo)體（衢州）是杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“乾晶半導(dǎo)體”）的全資子公司及生產(chǎn)基地。資料顯示，乾晶半導(dǎo)體主要從事碳化硅的單晶生長和襯底加工的研發(fā)，是浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院孵化的碳化硅材料公司，也是浙江省科技廳“尖兵計劃”大直徑碳化硅襯底項目的承擔(dān)單位。
融資方面，今年1月，乾晶半導(dǎo)體完成億元Pre-A輪融資，本輪融資將用于碳化硅襯底的技術(shù)創(chuàng)新和批量生產(chǎn)。
研發(fā)成果方面，乾晶半導(dǎo)體于2022年7月成功生長出了厚度達(dá)到50mm的6英寸碳化硅單晶，后于2023年5月生長了厚度達(dá)27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠。
產(chǎn)品進(jìn)度上，乾晶半導(dǎo)體6英寸碳化硅拋光片已經(jīng)通過客戶驗證，工藝技術(shù)轉(zhuǎn)入衢州生產(chǎn)基地開展產(chǎn)業(yè)化，項目擬月產(chǎn)6英寸碳化硅拋光片5千片，計劃于2024年二季度達(dá)產(chǎn)。其8英寸碳化硅晶體生長技術(shù)于2023年四季度轉(zhuǎn)入蕭山研發(fā)中心進(jìn)行中試。
此前9月下旬，乾晶半導(dǎo)體與譜析光晶、綠能芯創(chuàng)簽訂三方戰(zhàn)略合作協(xié)議。三方約定緊密配合、共同投入開發(fā)及驗證應(yīng)用于特殊領(lǐng)域的SiC相關(guān)產(chǎn)品，簽約同時項目啟動（9月），并簽訂了5年內(nèi)4.5億的意向訂單。
當(dāng)前，新能源汽車迅猛發(fā)展，其使用的關(guān)鍵功率元件碳化硅正炙手可熱，除上述企業(yè)外，包括安森美、wolfspeed、羅姆、山東天岳、三安光電、天科合達(dá)等企業(yè)也紛紛布局。
據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模將達(dá)22.8億美元，年成長41.4%。并預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元。
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