人工智能浪潮之下，HBM從幕后走向臺(tái)前，市場(chǎng)需求持續(xù)看漲。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)，2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長(zhǎng)約30%。
與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM具備高帶寬、高容量、低延時(shí)與低功耗等優(yōu)勢(shì)，可以加快AI數(shù)據(jù)處理速度，更適用于ChatGPT等高性能計(jì)算場(chǎng)景，因而備受青睞，存儲(chǔ)大廠也在積極推動(dòng)HBM技術(shù)迭代。
存儲(chǔ)大廠持續(xù)發(fā)力，三星將推出HBM4
自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問(wèn)世至今，HBM技術(shù)已經(jīng)更新迭代出多款產(chǎn)品，分別有HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3e等。
原廠規(guī)劃方面，此前集邦咨詢調(diào)查顯示，兩大韓廠SK海力士（SK hynix）、三星（Samsung）先從HBM3開(kāi)發(fā)，代表產(chǎn)品為NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列，兩大韓廠預(yù)計(jì)于2024年第一季送樣HBM3e；美系原廠美光（Micron）則選擇跳過(guò)HBM3，直接開(kāi)發(fā)HBM3e。
HBM3e將由24Gb mono die堆棧，在8層（8Hi）的基礎(chǔ)下，單顆HBM3e容量將一口氣提升至24GB，此將導(dǎo)入在2025年NVIDIA推出的GB100上，故三大原廠預(yù)計(jì)要在2024年第一季推出HBM3e樣品，以期在明年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。
除了HBM3、HBM3e之外，最新消息顯示，存儲(chǔ)大廠還在規(guī)劃推出下一代HBM——HBM4。
近日，三星電子副社長(zhǎng)、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人黃尚俊對(duì)外表示，三星電子已開(kāi)發(fā)出9.8Gbps的HBM3E，計(jì)劃開(kāi)始向客戶提供樣品。同時(shí)，三星正在開(kāi)發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨。據(jù)悉，三星電子正開(kāi)發(fā)針對(duì)高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的非導(dǎo)電粘合膜（NCF）組裝技與混合鍵合（HCB）等技術(shù)，以應(yīng)用于HBM4產(chǎn)品。
9月韓媒報(bào)道表示，為了掌握快速成長(zhǎng)的HBM市場(chǎng)，三星將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，并推出HBM4產(chǎn)品。據(jù)悉，HBM4內(nèi)存堆棧將采用2048位內(nèi)存接口 。此前所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見(jiàn)HBM4具備的變革意義。
HBM4為時(shí)尚早，明年市場(chǎng)主流還得看HBM3與HBM3e
盡管HBM4將有大突破，但它畢竟不會(huì)很快到來(lái)，談應(yīng)用以及普及為時(shí)尚早。業(yè)界指出，當(dāng)前HBM市場(chǎng)以HBM2e為主，未來(lái)HBM3與HBM3e將挑起大梁。
集邦咨詢調(diào)查顯示，當(dāng)前HBM市場(chǎng)主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設(shè)計(jì)。同時(shí)，為順應(yīng)AI加速器芯片需求演進(jìn)，各原廠計(jì)劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e，預(yù)期HBM3與HBM3e將成為明年市場(chǎng)主流。
以HBM不同世代需求比重而言，據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場(chǎng)需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預(yù)估達(dá)60%，且受惠于其更高的平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP），將帶動(dòng)明年HBM營(yíng)收顯著成長(zhǎng)。
封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)
