清華大學(xué)官微消息，近期清華大學(xué)集成電路學(xué)院吳華強教授、高濱副教授基于存算一體計算范式在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破，研究成果發(fā)表在《科學(xué)》（Science）上。

記憶電阻器可以在斷電之后，仍能“記憶”通過的電荷，因而其被當(dāng)做新型納米電子突觸器件。

據(jù)媒體報道，吳華強、高濱聚焦憶阻器存算一體技術(shù)研究，探索實現(xiàn)計算機系統(tǒng)新范式。憶阻器存算一體技術(shù)在底層器件、電路架構(gòu)和計算范式上全面顛覆了馮·諾依曼傳統(tǒng)計算架構(gòu)，可實現(xiàn)算力和能效的跨越式提升，同時，該技術(shù)還可利用底層器件的學(xué)習(xí)特性，支持實時片上學(xué)習(xí)，賦能基于本地學(xué)習(xí)的邊緣訓(xùn)練新場景。

課題組基于存算一體計算范式，創(chuàng)造性提出適配憶阻器存算一體實現(xiàn)高效片上學(xué)習(xí)的新型通用算法和架構(gòu)，通過算法、架構(gòu)、集成方式的全流程協(xié)同創(chuàng)新，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片。