近期，英特爾、格芯、美光、Soitec紛紛開展了其擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，英特爾將投資超200億美元在美國(guó)建設(shè)兩家芯片工廠；格芯將投資80億美元將德國(guó)德累斯頓芯片廠產(chǎn)能翻番；美光美國(guó)內(nèi)存工廠開工建設(shè)，并且其日本工廠獲得約13億美元補(bǔ)貼；Soitec新工廠法國(guó)國(guó)內(nèi)落成，計(jì)劃年產(chǎn)50萬(wàn)片SmartSiC晶圓?？傮w來(lái)看，當(dāng)前半導(dǎo)體下行接近周期尾聲，多家企業(yè)看好未來(lái)晶圓長(zhǎng)期需求，正預(yù)備開啟新一輪擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，為擴(kuò)大市場(chǎng)份額做準(zhǔn)備。
英特爾將投資超200億美元在美建設(shè)兩家芯片工廠
英特爾9月30日表示，其計(jì)劃在美國(guó)俄亥俄州建設(shè)兩家新的尖端芯片工廠，投資額超200億美元（約合人民幣1460億元）。部分業(yè)界人士表示，英特爾此次巨額投資或是希望獲得美國(guó)半導(dǎo)體補(bǔ)貼資金。
英特爾此前表示，其目標(biāo)是在2030年前成為世界第二大晶圓代工廠。近幾年，其展開了瘋狂的擴(kuò)產(chǎn)研發(fā)路線，如“四年實(shí)現(xiàn)五個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)追逐”，又或是在2030年實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝中集成一萬(wàn)億個(gè)晶體管，以及開展全球代工服務(wù)業(yè)務(wù)等。
公開消息顯示，英特爾目前在全球有10個(gè)制造廠，在現(xiàn)有的基地中，包括五個(gè)晶圓廠和四個(gè)裝配和測(cè)試設(shè)施。過(guò)去幾年，英特爾不斷在這些基地的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)建廠。
今年，英特爾動(dòng)態(tài)頻頻。9月29日，英特爾表示，其位于愛爾蘭價(jià)值185億美元的工廠已開始使用極紫外(EUV)光刻機(jī)進(jìn)行大批量生產(chǎn)，并稱這是其尋求重新奪回競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手地位的“里程碑”時(shí)刻。9月20日，英特爾舉辦“ON技術(shù)創(chuàng)新峰會(huì)”，定位為AI PC的酷睿Ultra處理器、AI計(jì)算芯片Gaudi2和Gaudi3、第五代至強(qiáng)處理器、先進(jìn)制程工藝以及先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)展逐一公開亮相。8月28日，英特爾表示，將于明年推出的一款新數(shù)據(jù)中心芯片，每瓦特電能可處理的計(jì)算工作量將增加一倍以上，這是整個(gè)行業(yè)降低電力消耗努力的一部分。
格芯計(jì)劃投資80億美元，將德國(guó)德累斯頓芯片廠產(chǎn)能翻番
9月28日，格芯CEO Thomas Caulfield表示，格芯計(jì)劃投資80億美元，到本十年末將其位于德國(guó)德累斯頓的芯片制造廠的產(chǎn)能提高一倍。
Thomas Caulfield表示，正在尋求與其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電同等水平的政府支持。
臺(tái)積電今年夏天批準(zhǔn)了一個(gè)價(jià)值100億歐元(105億美元)的工廠建設(shè)，德國(guó)政府預(yù)計(jì)將為該工廠提供高達(dá)50億歐元的補(bǔ)貼。今年8月，格芯法務(wù)長(zhǎng)艾薩（Saam Azar）在接受采訪時(shí)曾表示，臺(tái)積電規(guī)模比格芯大10多倍，現(xiàn)在打算與格芯的3個(gè)主要客戶在旁邊生產(chǎn)芯片，直接與格芯競(jìng)爭(zhēng)，為此獲得巨額補(bǔ)貼，“這樣公平和恰當(dāng)嗎？”其表示。
為加大全球競(jìng)爭(zhēng)力，格芯近年也在加大擴(kuò)產(chǎn)力度。據(jù)路透社報(bào)道，9月12日，格芯宣布其在新加坡投資40億美元擴(kuò)建的制造廠正式啟用，進(jìn)一步擴(kuò)展全球產(chǎn)能。消息顯示，擴(kuò)建后的晶圓廠每年將額外生產(chǎn)45萬(wàn)片300毫米晶圓，將格芯新加坡的總產(chǎn)能提高到每年約150萬(wàn)片300毫米晶圓。
此前2月，格芯宣布與半導(dǎo)體封測(cè)廠商安靠（Amkor Technology）結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共建葡萄牙大型封裝項(xiàng)目。根據(jù)公告，格芯計(jì)劃將其德累斯頓工廠的12英寸晶圓級(jí)封裝產(chǎn)線轉(zhuǎn)移到安靠位于葡萄牙波爾圖的工廠，以建立歐洲第一個(gè)大規(guī)模的后端設(shè)施。同時(shí)，格芯將保留其在波爾圖轉(zhuǎn)讓的工具、流程和IP的所有權(quán)。雙方還計(jì)劃在葡萄牙的未來(lái)發(fā)展工作中進(jìn)行合作。
據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，在2023年第二季度晶圓代工市場(chǎng)中，格芯（GlobalFoundries）以6.7%的市占率居位全球第三。從營(yíng)收上看，第二季營(yíng)收與第一季大致持平，環(huán)比增長(zhǎng)僅0.2%，約18.5億美元，其中智能手機(jī)及車用領(lǐng)域等營(yíng)收均有成長(zhǎng)。
美光美國(guó)愛達(dá)荷州內(nèi)存工廠開工，其日本工廠獲得約13億美元
10月6日，美光在美國(guó)愛達(dá)荷州的新內(nèi)存制造工廠正式開工建設(shè)。該工廠將與美光位于博伊西的研發(fā)中心位于同一地點(diǎn)。據(jù)悉，博伊西是美光公司總部、新擴(kuò)建的卓越技術(shù)創(chuàng)新中心以及北美唯一的DRAM研發(fā)制造工廠的所在地。
新晶圓廠的潔凈室空間預(yù)計(jì)將從2025年開始分階段投入使用，美光表示，DRAM產(chǎn)量將在本世紀(jì)下半葉隨著行業(yè)需求的增長(zhǎng)而不斷增加。最終，潔凈室空間將達(dá)到600,000平方英尺，竣工后將成為美國(guó)有史以來(lái)最大的單一潔凈室。
此外，10月3日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔表示，日本將為美光科技(MU-US)廣島工廠的存儲(chǔ)器芯片計(jì)劃，提供高達(dá)1920億日元（約13億美元）的財(cái)政支持，作為確保半導(dǎo)體穩(wěn)定供應(yīng)行動(dòng)的一部分。
“補(bǔ)貼將幫助美光安裝荷蘭公司ASML的極紫外微影(EUV)設(shè)備，來(lái)制造先進(jìn)的芯片，用于生成式人工智能(AI)、數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛上?！蔽鞔灞硎?，日本這項(xiàng)支持計(jì)劃，涵蓋了美光在日本近40%的投資。
Soitec新工廠法國(guó)國(guó)內(nèi)落成，計(jì)劃年產(chǎn)50萬(wàn)片SmartSiC晶圓
法國(guó)創(chuàng)新半導(dǎo)體材料領(lǐng)先企業(yè)Soitec近日發(fā)表公告，其在法國(guó)格勒諾布爾附近的伯寧舉行了新工廠落成儀式。
此前2022年3月消息，Soitec宣布在法國(guó)伯寧總部建設(shè)Bernin 4新工廠，致力于制造6英寸和8英寸的 SmartSiC晶圓。同年3月該工廠舉行了奠基儀式。
根據(jù)法國(guó)媒體的報(bào)道，該工廠投資額為3.8億歐元（約30億人民幣），其中30%由法國(guó)和歐洲援助承擔(dān)。根據(jù)公告，該工廠占地面積2500平方米，2028年全部達(dá)成后可年產(chǎn)50萬(wàn)片，其中80%專用于SmartSiC晶圓，20%生產(chǎn)300mm SOI晶圓。
該公司表示，新工廠將專門生產(chǎn)電動(dòng)汽車所需要的SmartSiC襯底，Soitec開發(fā)的SmartCut技術(shù)可使SiC器件電氣性能提高了15%-20%，襯底的消耗量減少了十分之一。具體而言，通過(guò)SmartSiC?技術(shù)的，每個(gè)SiC襯底可以使用10次。因此，SmartSiC?使電動(dòng)汽車的續(xù)航里程超過(guò)500公里，而使用硅基IGBT的汽車平均續(xù)航里程為350公里，同時(shí)與單晶SiC襯底相比，晶圓制造過(guò)程中的二氧化碳排放量減少了70%。
Soitec 首席執(zhí)行官Pierre Barnabé 表示：“我們比以往任何時(shí)候都更愿意將 SmartSiC技術(shù)建立為下一代電動(dòng)汽車半導(dǎo)體材料的新標(biāo)準(zhǔn)。該工廠將使我們能夠滿足對(duì)碳化硅不斷增長(zhǎng)的需求，并到2030年實(shí)現(xiàn)30%的市場(chǎng)份額，同時(shí)幫助提高電動(dòng)汽車的效率和降低價(jià)格。”
現(xiàn)階段，Bernin 4新工廠主要生產(chǎn)6英寸SiC晶圓，計(jì)劃從2024年開始遷移到8英寸晶圓。新工廠的第一個(gè)測(cè)試樣品和資格認(rèn)證將在2個(gè)月內(nèi)開始發(fā)貨，計(jì)劃于2024年春末開始大批量交付。
