9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東科半導(dǎo)體”）與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。
東科半導(dǎo)體指出，北大-東科第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心將瞄準(zhǔn)國(guó)家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以第三代半導(dǎo)體氮化鎵關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用研發(fā)為核心使命，重點(diǎn)突破材料、器件、工藝技術(shù)瓶頸，增強(qiáng)東科半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新能力和市場(chǎng)主導(dǎo)力。
資料顯示，東科半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售為一體的集成電路科技創(chuàng)新型企業(yè)，公司采用市場(chǎng)少有的“Fabless+封測(cè)”的經(jīng)營(yíng)模式，在具備自主芯片設(shè)計(jì)能力的同時(shí)，擁有自主封測(cè)能力。目前，公司設(shè)立有4個(gè)研發(fā)中心，分別位于深圳、無(wú)錫、馬鞍山、青島，以及一個(gè)封測(cè)基地。
隨著氮化鎵技術(shù)的不斷突破與完善，下游新的應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模將不斷爆發(fā)，同時(shí)氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體，其優(yōu)異特性將成為提升下游產(chǎn)品性能、降本增效、可持續(xù)綠色發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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