近日，汽車Tier 1廠商博格華納與意法半導(dǎo)體達(dá)成協(xié)議，將為后者的車規(guī)功率模塊提供碳化硅MOSFET器件。此外，博格華納已與安森美就SiC器件達(dá)成了10億美元的交易。
博格華納表示，為了充分利用意法半導(dǎo)體SiC MOSFET芯片的性能，雙方技術(shù)團(tuán)隊(duì)密切合作將其芯片與博格華納的Viper功率開關(guān)相匹配，從而最大限度地提高逆變器性能并提供緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的架構(gòu)。兩家公司之間的合作提供了快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)所需的大批量生產(chǎn)能力。
意法半導(dǎo)體汽車和分立器件事業(yè)部總裁 Marco Monti表示，將致力于擴(kuò)大 SiC產(chǎn)能并加強(qiáng)其SiC 供應(yīng)，包括通過垂直整合，增加產(chǎn)量以支持全球汽車和工業(yè)客戶向電氣化和更高效率的轉(zhuǎn)變。
意法半導(dǎo)體的大批量STPOWER SiC產(chǎn)品在其意大利和新加坡的工廠生產(chǎn)，并在摩洛哥和中國(guó)的后端工廠進(jìn)行先進(jìn)的封裝和測(cè)試。據(jù)了解，2022年10月，意法半導(dǎo)體宣布將在卡塔尼亞新建一座集成SiC襯底制造工廠，擴(kuò)大其功率半導(dǎo)體制造能力，該工廠是該公司功率半導(dǎo)體專業(yè)知識(shí)的所在地，也是SiC集成研究、開發(fā)和制造的基地。
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