近日，美光中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)董事長(zhǎng)盧東暉表示，美光有多達(dá)65%的DRAM產(chǎn)品在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)，繼日本廠于去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β（1-beta）制程技術(shù)后，中國(guó)臺(tái)灣現(xiàn)在也開(kāi)始量產(chǎn)1-beta制程。
相較上一代的1α（1-alpha）制程，美光最新的1-beta制程功耗降低約15%，位元密度提升超過(guò)35%，每顆晶粒容量可達(dá)16Gb。
至于更先進(jìn)的1γ（1-gamma）技術(shù)，盧東暉表示新一代的1-gamma制程是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，將在2025年上半年先在臺(tái)中廠量產(chǎn)。
據(jù)悉，目前在美光只有在臺(tái)中有EUV的制造工廠，因此1-gamma制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，未來(lái)日本廠也有望導(dǎo)入EUV設(shè)備。
當(dāng)前盡管存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍處于下行周期，但存儲(chǔ)大廠對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)賽仍在繼續(xù)。除了美光外，三星也在積極探索先進(jìn)制程。
三星在去年10月召開(kāi)的Samsung Foundry Forum 2022活動(dòng)上，對(duì)外公布了DRAM技術(shù)路線圖。按照規(guī)劃，三星將于2023年進(jìn)入1bnm工藝階段，芯片容量將達(dá)到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbp。
此外，今年5月三星宣布量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM，9月三星宣布采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，全新12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM計(jì)劃于今年年底開(kāi)始量產(chǎn)。
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