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NAND Flash現(xiàn)貨市場出現(xiàn)短期漲勢
原廠企業(yè)級SSD營收排名出爐
半導體市場冰火兩重天
最新一批半導體項目上馬
三星發(fā)布12nm 32Gb DDR5 DRAM
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NAND Flash市場觀察
近期NAND Flash現(xiàn)貨市場顆粒報價受到Wafer合約價成功拉漲消息帶動，部分品項出現(xiàn)較積極詢價需求。市場詳情據(jù)TrendForce集邦咨詢了解，主要起因于8月下旬NAND Flash原廠進一步與部分中國指標模組廠議定新一筆Wafer訂單，并成功拉抬512Gb wafer合約價，漲幅約10%，其他原廠亦跟進將同級產(chǎn)品價格提升，顯現(xiàn)原廠不愿再低價成交，從而帶動Wafer現(xiàn)貨市場近期出現(xiàn)短期漲勢。不過，由于相關(guān)采購訂單是基于供應端報價調(diào)漲而涌現(xiàn)，是否有實際終端訂單支撐仍待觀察。
2022年第四季起由鎧俠及美光率先啟動減產(chǎn)，三星今年第二季才跟進，故減產(chǎn)效益到今年下半年才會發(fā)生。據(jù)集邦咨詢了解，三星的減產(chǎn)幅度從起初25%，第四季可能擴大到35%，代表目前市況供過于求壓力仍大。原廠若不積極應對，即便下半年需求會溫和復蘇，NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價格要落底反彈也有困難。因此，目前一線NAND Flash原廠均透過積極減產(chǎn)控制供給，力求止跌，避免價格持續(xù)破底...詳情請點擊《研報 | 原廠成功拉漲Wafer合約價，現(xiàn)貨市場出現(xiàn)短期漲勢》
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原廠企業(yè)級SSD營收排名
TrendForce集邦咨詢研究顯示，受高通脹及經(jīng)濟形勢影響，各CSP（云端服務(wù)業(yè)者）資本支出保守并持續(xù)調(diào)降全年服務(wù)器需求，目前觀察中國方面CSP業(yè)者今年云端訂單較去年衰退，2023年全球Enterprise SSD采購容量將遞減；北美方面，部分客戶推遲服務(wù)器新平臺的量產(chǎn)時程，再加上擴大投資AI服務(wù)器，導致Enterprise SSD訂單低于預期，使得第二季全球Enterprise SSD營收創(chuàng)新低，僅15億美元，環(huán)比減少24.9%。
具體來看，三星（Samsung）第二季Enterprise
SSD領(lǐng)域營收約5.3億美元，環(huán)比減少34.1%；SK集團第二季Enterprise
SSD領(lǐng)域營收為3.7億美元，環(huán)比減少
18.3%；鎧俠（Kioxia）第二季Enterprise SSD營收達2.0億美元，環(huán)比減少31.1%...詳情請點擊《研報 | 全球原廠Enterprise SSD品牌廠商最新營收排名公布》
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半導體冰火兩重天
近期，英偉達公布漂亮財報，凈利潤暴漲843%的數(shù)據(jù)令業(yè)界再次見識到了AI與高性能GPU強勁勢頭。在AI推動下，高性能GPU需求持續(xù)看漲，供應鏈緊急擴產(chǎn)，忙得熱火朝天。不過與此同時，消費電子尚未復蘇，整體半導體市場仍處“寒冬”，行業(yè)“冰火兩重天”態(tài)勢將持續(xù)。
HBM與CoWoS先進封裝是影響高性能GPU產(chǎn)能的關(guān)鍵因素，為滿足高性能GPU市場需求，業(yè)界正積極擴產(chǎn)。
2023年受AI需求突爆式增長影響，HBM需求高漲，即使存儲器原廠積極擴大產(chǎn)能，但仍不能滿足市場需求。全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示 ，存儲器原廠在面臨英偉達以及其他云端服務(wù)業(yè)者（CSP）自研芯片的加單下，試圖通過加大TSV產(chǎn)線來擴增HBM產(chǎn)能。從目前各原廠規(guī)劃來看，預估2024年HBM供給位元量將年增105%...詳情請點擊《半導體市場冰火兩重天》
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最新一批半導體項目上馬
近日，半導體行業(yè)又一批項目迎來最新進展，范圍涉及半導體材料、半導體制造、功率器件、半導體設(shè)備零部件等。
據(jù)“金陵微雨花”公眾號消息，8月23日，2023中國（南京）國際軟件產(chǎn)品和信息服務(wù)交易博覽會數(shù)字經(jīng)濟重大項目簽約活動舉行。據(jù)悉，雨花臺區(qū)達成洽談簽約項目7個，總投資43.4億元。其中包括誠邁信創(chuàng)基地項目、展芯半導體總部項目等。
8月25日，武漢東湖高新區(qū)管委會與長飛先進半導體簽署了第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議書。該項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等。
鑫華半導體消息顯示，8月22日，鑫華半導體1500噸硅基電子特氣項目開工儀式舉行。該項目占地面積約500平方米，將于11月進行系統(tǒng)調(diào)試安裝，12月底完成試生產(chǎn)...詳情請點擊《最新一批半導體項目上馬！》
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存儲器供給需求預估
TrendForce集邦咨詢表示，預期2024年存儲器原廠對于DRAM與NAND Flash的減產(chǎn)策略仍將延續(xù)，尤其以虧損嚴重的NAND Flash更為明確。預估在2024上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗，通用型服務(wù)器的資本支出仍受到AI服務(wù)器排擠而顯得相對需求疲弱，有鑒于2023年基期已低，加上部分存儲器產(chǎn)品價格已來到相對低點，預估DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13.0%及16.0%。不過，盡管需求位元有回升，明年若要有效去化庫存，并回到供需平衡狀態(tài)，重點還是仰賴供應商對于產(chǎn)能有所節(jié)制，若供應商產(chǎn)能控制得宜，存儲器均價則有機會反彈。
具體來看，PC方面，PC DRAM平均搭載容量年成長率約12.4%；服務(wù)器方面，Server DRAM平均搭載容量年成長率預估可達17.3%；智能手機方面，受全球經(jīng)濟疲軟影響，預估2024年生產(chǎn)量年成長率僅約2.2%；UFS及eMMC方面，影像儲存需求、5G滲透率提高等，均會帶動智能手機平均搭載容量提升，但在原廠減產(chǎn)以醞釀漲價的情況下，智能手機OEM的成本控管會更謹慎，2024年中低端機種1TB以上的規(guī)劃可能減少…詳情請點擊《研報 | 2023與2024年DRAM、NAND Flash供給和需求位元觀察》
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三星DRAM新突破
9月1日，三星電子宣布該公司已采用12納米（nm）級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，并計劃于今年年底開始量產(chǎn)。
據(jù)三星介紹，通過使用最新開發(fā)的32Gb內(nèi)存顆粒，即使不使用硅通孔（TSV）工藝也能夠生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組，該產(chǎn)品與使用16Gb內(nèi)存封裝的128GB內(nèi)存模組相比，功耗降低了約10%。這一技術(shù)突破使該產(chǎn)品成為數(shù)據(jù)中心等關(guān)注能效的企業(yè)的優(yōu)選解決方案。
三星表示，公司計劃以12納米級32Gb DDR5 DRAM為基礎(chǔ)，繼續(xù)擴充大容量DRAM產(chǎn)品陣容，以滿足高性能計算和IT行業(yè)持續(xù)增長的需求。通過向數(shù)據(jù)中心以及需要人工智能和下一代計算等應用的客戶提供12納米級32Gb DRAM，公司希望鞏固其在下一代內(nèi)存市場的前沿地位。未來，該產(chǎn)品還將在公司與其他主要行業(yè)參與者的長期合作中發(fā)揮重要作用…詳情請點擊《三星官宣DRAM迎新突破，存儲器未來市況如何？》
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
