2023年9月1日，三星電子宣布該公司已采用12納米（nm）級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，并計劃于今年年底開始量產(chǎn)。
三星電子存儲器事業(yè)部內(nèi)存開發(fā)組執(zhí)行副總裁SangJoon Hwang表示：在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，三星可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案，這有助于滿足人工智能和大數(shù)據(jù)時代對于大容量DRAM內(nèi)存日益增長的需求。
據(jù)介紹，通過使用最新開發(fā)的32Gb內(nèi)存顆粒，即使不使用硅通孔（TSV）工藝也能夠生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組，該產(chǎn)品與使用16Gb內(nèi)存封裝的128GB內(nèi)存模組相比，功耗降低了約10%。這一技術(shù)突破使該產(chǎn)品成為數(shù)據(jù)中心等關(guān)注能效的企業(yè)的優(yōu)選解決方案。以12納米級32Gb DDR5 DRAM為基礎(chǔ)，三星計劃繼續(xù)擴充大容量DRAM產(chǎn)品陣容，以滿足高性能計算和IT行業(yè)持續(xù)增長的需求。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
