近期，英偉達(dá)公布漂亮財(cái)報(bào)，凈利潤暴漲843%的數(shù)據(jù)令業(yè)界再次見識到了AI與高性能GPU強(qiáng)勁勢頭。在AI推動(dòng)下，高性能GPU需求持續(xù)看漲，供應(yīng)鏈緊急擴(kuò)產(chǎn)，忙得熱火朝天。不過與此同時(shí)，消費(fèi)電子尚未復(fù)蘇，整體半導(dǎo)體市場仍處“寒冬”，行業(yè)“冰火兩重天”態(tài)勢將持續(xù)。
火熱：GPU需求高漲“”
產(chǎn)業(yè)鏈積極擴(kuò)產(chǎn)
HBM與CoWoS先進(jìn)封裝是影響高性能GPU產(chǎn)能的關(guān)鍵因素，為滿足高性能GPU市場需求，業(yè)界正積極擴(kuò)產(chǎn)。
2023年受AI需求突爆式增長影響，HBM需求高漲，即使存儲(chǔ)器原廠積極擴(kuò)大產(chǎn)能，但仍不能滿足市場需求。
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示 ，存儲(chǔ)器原廠在面臨英偉達(dá)以及其他云端服務(wù)業(yè)者（CSP）自研芯片的加單下，試圖通過加大TSV產(chǎn)線來擴(kuò)增HBM產(chǎn)能。從目前各原廠規(guī)劃來看，預(yù)估2024年HBM供給位元量將年增105%。不過，考慮到TSV擴(kuò)產(chǎn)加上機(jī)臺交期與測試所需的時(shí)間合計(jì)可能長達(dá)9~12個(gè)月，因此TrendForce集邦咨詢預(yù)估多數(shù)HBM產(chǎn)能要等到明年第二季才有望陸續(xù)開出。
TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，基于各原廠積極擴(kuò)產(chǎn)的策略，2024年HBM供需比（Sufficiency Ratio）有望獲改善，預(yù)估將從2023年的-2.4%，轉(zhuǎn)為0.6%。
CoWoS先進(jìn)封裝領(lǐng)域，英偉達(dá)DGX系統(tǒng)副總裁兼總經(jīng)理Charlie Boyle曾對外表示，當(dāng)前GPU（短缺）并非是英偉達(dá)錯(cuò)估需求，也不是臺積電晶圓產(chǎn)量限制，GPU的主要瓶頸在于封裝。
目前英偉達(dá)A100、H100 GPU完全由臺積電代工生產(chǎn)，并使用臺積電先進(jìn)CoWoS封裝技術(shù)。不過，隨著臺積電CoWoS產(chǎn)能嚴(yán)重吃緊，英偉達(dá)正積極尋找新供應(yīng)商。比如近期供應(yīng)鏈傳出，聯(lián)電正積極擴(kuò)充硅中介層產(chǎn)能，月產(chǎn)能將由目前的3kwpm（千片/每月）擴(kuò)增至10kwpm。聯(lián)電主要向英偉達(dá)供貨CoWoS中前段CoW部分的硅中介層，隨著聯(lián)電擴(kuò)產(chǎn)，CoWoS制程供不應(yīng)求的壓力未來有望逐步緩解。
寒冷：大廠減產(chǎn)、砍投資
市場不確定性揮之不去
GPU需求飆升、產(chǎn)能告急的同時(shí)，消費(fèi)電子市場仍未釋放出復(fù)蘇跡象。受此影響，業(yè)界謹(jǐn)慎看待未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
花旗銀行近期便表示，由于半導(dǎo)體市場的不確定性揮之不去，無法提供2024年的收入指引。
為應(yīng)對風(fēng)險(xiǎn)，半導(dǎo)體大廠投資也在下滑。8月《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，通過美國、歐洲、韓國、中國臺灣、日本等全球主要10大半導(dǎo)體廠商設(shè)備投資計(jì)劃可知，2023年全球10家主要半導(dǎo)體企業(yè)投資額將同比減少16%，降至1220億美元，為四年來首次出現(xiàn)減少。2023年10大半導(dǎo)體廠對存儲(chǔ)器的投資年減44%、下滑幅度大，此外，對運(yùn)算用（邏輯）半導(dǎo)體的投資也減少14%。
晶圓代工領(lǐng)域，由于市場需求持續(xù)疲軟，為進(jìn)一步降低成本，以三星為首的主要晶圓代工業(yè)者開始針對部分成熟制程生產(chǎn)線啟動(dòng)“熱停機(jī)（Warm Shutdown）”。
上游硅晶圓領(lǐng)域，受晶圓代工產(chǎn)能稼動(dòng)影響，也面臨過剩的境遇，業(yè)界透露硅晶圓過?；?qū)⒊掷m(xù)至2025年。國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）數(shù)據(jù)顯示，由于半導(dǎo)體行業(yè)仍需應(yīng)對庫存過剩問題，今年第二季度硅晶圓出貨量同比下跌。2023年第二季度全球硅晶圓出貨量環(huán)比增長 2.0%，達(dá)到 33.31 億平方英寸，較去年同期的37.04億平方英寸下降10.1%。
存儲(chǔ)器領(lǐng)域，盡管內(nèi)存市場HBM風(fēng)生水起，但NAND Flash市場需求仍在持續(xù)萎縮，為應(yīng)對需求“寒冬”，多家存儲(chǔ)廠商今年表態(tài)將持續(xù)減產(chǎn)并縮減支出，NAND Flash成為被調(diào)整的重點(diǎn)領(lǐng)域。8月鎧俠在最新財(cái)報(bào)中表示，因市況復(fù)蘇緩慢，將持續(xù)配合需求動(dòng)向進(jìn)行減產(chǎn)以及管控營銷費(fèi)用，且為了維持競爭力、將持續(xù)進(jìn)行次世代產(chǎn)品研發(fā)以及降低成本等措施。稍早之前，SK海力士與三星也做出了減產(chǎn)NAND Flash的決定。SK海力士認(rèn)為，與DRAM庫存去化速度相比，NAND閃存的去庫存速度相較緩慢，因此決定擴(kuò)大NAND產(chǎn)品的減產(chǎn)規(guī)模。三星電子存儲(chǔ)事業(yè)部執(zhí)行副總裁Jaejune Kim在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上提到，三星將延長減產(chǎn)行動(dòng)，并對包括NAND閃存芯片在內(nèi)的某些產(chǎn)品進(jìn)行額外的產(chǎn)量調(diào)整。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
