8月25日，武漢東湖高新區(qū)管委會與長飛先進(jìn)半導(dǎo)體簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議。
安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體消息顯示，長飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目總投資預(yù)計超過200億元，其中項目一期總投資約100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等，將助力武漢打造國內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。
資料顯示，安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司專注于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，擁有國內(nèi)一流的產(chǎn)線設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng)，具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。目前，可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
