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          后摩智能首款RRAM大容量存儲芯片成功點亮,并完成測試驗證

          2023-8-18 9:30:00
          • 近期,后摩智能宣布,公司完成首款可商用的RRAM測試及應用場景開發(fā),探測及證實了現(xiàn)有工業(yè)級的RRAM的技術邊界。后續(xù)將與車規(guī)級應用場景結合,希望與伙伴共同打造新興存儲及新型存算計算范式。

          后摩智能首款RRAM大容量存儲芯片成功點亮,并完成測試驗證

          近期,后摩智能宣布,公司完成首款可商用的RRAM測試及應用場景開發(fā),探測及證實了現(xiàn)有工業(yè)級的RRAM的技術邊界。后續(xù)將與車規(guī)級應用場景結合,希望與伙伴共同打造新興存儲及新型存算計算范式。

          據(jù)介紹,在功耗性能方面,后摩智能該款RRAM芯片整體功耗低至60mW,支持power down模式,支持不同區(qū)域分別關斷功能,支持sleep模式等,可以進一步在不同應用場景進行功耗控制。

          目前,后摩智能該款RRAM芯片能夠滿足在高質量/高安全性要求的商用場景,更新版本可以實現(xiàn)對車規(guī)級應用的支持,包括車載娛樂系統(tǒng)、部分低等級車規(guī)要求,以及工業(yè)電子類/消費電子類。

          封面圖片來源:拍信網(wǎng)

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