SK海力士今年8月展示全球最高層321層NAND閃存樣品之后，業(yè)界關(guān)注其他存儲廠商何時推出300層以上NAND Flash產(chǎn)品。
8月初媒體報道三星正積極投入產(chǎn)品研發(fā)，預(yù)計2024年推出的第九代3D NAND將達(dá)280層，第十代3D NAND將跳過300層區(qū)間達(dá)430層，預(yù)計將于2025~2026年推出。
隨后又有報道透露三星并未跳過300層數(shù)，該公司計劃2024年量產(chǎn)堆疊300層以上、第九代3D NAND，預(yù)計采用雙次堆疊技術(shù)。據(jù)悉，雙次堆疊技術(shù)是分兩次制造NAND，然后將其組合在一起。三星從第七代176層3D NAND開始采用雙次堆疊技術(shù)。
目前，三星尚未明確透露300層NAND Flash堆疊技術(shù)信息。不過，該公司持續(xù)發(fā)力NAND Flash堆疊技術(shù)，今年7月三星存儲業(yè)務(wù)高管就對外表示，2030年三星V-NAND可以疊加到1000多層。
其他廠商方面，美光計劃232層之后推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正在研發(fā)300層以上的3D NAND產(chǎn)品。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
