當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月26日，美光科技宣布，已開始送樣其首款8-high 24GB HBM3 Gen2內(nèi)存產(chǎn)品，帶寬大于1.2TB/s，引腳速度超過9.2Gb/s，比目前推出的HBM3解決方案提高50%，其每瓦性能比前幾代產(chǎn)品提高了2.5倍。
據(jù)介紹，美光科技HBM解決方案采用1β(1-beta)DRAM工藝節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)允許將24Gb DRAM芯片組裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸內(nèi)的8-high立方體中。此外，美光科技的12高堆棧（容量為36GB）將于2024年第一季度開始提供樣品。與現(xiàn)有的競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，美光科技在給定堆棧高度下提供的容量增加了50%。
美光科技表示，作為HBM3 Gen2產(chǎn)品開發(fā)工作的一部分，美光科技與臺(tái)積電之間的合作為AI和HPC設(shè)計(jì)應(yīng)用的計(jì)算系統(tǒng)的順利引入和集成奠定了基礎(chǔ)。臺(tái)積電已收到美光科技HBM3 Gen2內(nèi)存樣品，并正在與美光科技密切合作進(jìn)行進(jìn)一步評(píng)估和測(cè)試，這將有利于客戶下一代HPC應(yīng)用的創(chuàng)新。美光科技HBM3 Gen2在美國(guó)進(jìn)行設(shè)計(jì)和工藝開發(fā)，在日本進(jìn)行內(nèi)存制造，在中國(guó)臺(tái)灣進(jìn)行先進(jìn)封裝。
此前，美光科技推出基于1α(1-alpha)24Gb單片DRAM芯片的96GB DDR5模塊，用于容量需求大的服務(wù)器解決方案，此次推出的是基于1β 24Gb芯片的24GB HBM3產(chǎn)品。美光科技計(jì)劃，在2024年上半年推出基于1β 32Gb單片DRAM芯片的128GB DDR5模塊。
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