在7月11日慕尼黑上海電子展上，至訊創(chuàng)新科技（無錫）有限公司展出了基于19nm 2D SLC NAND閃存的全新量產(chǎn)產(chǎn)品，帶來了存儲(chǔ)行業(yè)在二維閃存芯片領(lǐng)域的最新突破。
這款全新產(chǎn)品提供了512Mb、1Gb和2Gb等多種容量規(guī)格選擇，旨在滿足工控、車規(guī)和消費(fèi)等多個(gè)領(lǐng)域的需求。至訊創(chuàng)新通過精心研發(fā)，成功突破了19nm先進(jìn)制程，為客戶提供了卓越的性能和可靠性。
此款芯片不僅能夠承受工業(yè)控制和汽車應(yīng)用領(lǐng)域高達(dá)100,000次的擦寫操作，確保數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，同時(shí)還能滿足消費(fèi)電子領(lǐng)域?qū)τ诟咝詢r(jià)比的需求，提供消費(fèi)級規(guī)格。
在展會(huì)上，至訊創(chuàng)新展出了搭載該款19nm閃存芯片的功能手機(jī)，穿戴產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)通訊產(chǎn)品等設(shè)備，演示了此產(chǎn)品在不同應(yīng)用場景中的優(yōu)異表現(xiàn)。
至訊創(chuàng)新深刻理解不同行業(yè)對于存儲(chǔ)解決方案的差異性需求，因此，他們?yōu)檫@款19nm 2D NAND閃存產(chǎn)品提供了多樣化的規(guī)格和容量選擇，以滿足各種復(fù)雜應(yīng)用場景的需求。無論是追求工控系統(tǒng)高速讀寫，還是尋求車規(guī)行業(yè)極端溫度環(huán)境下的穩(wěn)定性，抑或是追求消費(fèi)電子領(lǐng)域更高性價(jià)比和更快接口速度，至訊創(chuàng)新都能夠?yàn)榭蛻籼峁┩昝赖慕鉀Q方案。
在發(fā)布會(huì)現(xiàn)場，至訊創(chuàng)新董事長湯強(qiáng)博士表示：我們非常自豪地推出這款全新產(chǎn)品，它代表著至訊創(chuàng)新在存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大突破?；?9nm 2D SLC NAND閃存的產(chǎn)品將為各行各業(yè)的應(yīng)用提供更高性能和更可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案，并且能為客戶帶來業(yè)界最優(yōu)的成本。
他強(qiáng)調(diào)道：“我們的目標(biāo)是為客戶提供最優(yōu)質(zhì)的存儲(chǔ)解決方案，助力他們應(yīng)對日益增長的數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)。通過持續(xù)的創(chuàng)新和技術(shù)領(lǐng)先，推動(dòng)行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。”
至訊創(chuàng)新一直致力于領(lǐng)導(dǎo)存儲(chǔ)創(chuàng)新，為行業(yè)提供先進(jìn)的存儲(chǔ)技術(shù)和解決方案。通過這次基于19nm 2D SLC NAND閃存的產(chǎn)品的成功發(fā)布，至訊創(chuàng)新將持續(xù)為存儲(chǔ)領(lǐng)域注入活力，引領(lǐng)存儲(chǔ)行業(yè)創(chuàng)新。
封面圖片來源：至訊創(chuàng)新
