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存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格漲跌幅預(yù)測(cè)
數(shù)百億大項(xiàng)目進(jìn)展
半導(dǎo)體廠商闖關(guān)科創(chuàng)板
全球首顆AI全自動(dòng)設(shè)計(jì)CPU問(wèn)世
三星透露閃存新消息
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存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格漲跌幅預(yù)測(cè)
據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究指出，2023年第三季，預(yù)期DRAM均價(jià)跌幅將會(huì)收斂至0~5%；整體NAND Flash均價(jià)持續(xù)下跌約3~8%，第四季有望止跌回升。
具體來(lái)看，DRAM方面，第三季預(yù)估整體PC DRAM均價(jià)將環(huán)比下跌0~5%；Server DRAM均價(jià)跌幅約0~5%；Mobile DRAM均價(jià)仍會(huì)呈現(xiàn)環(huán)比下跌0~5%；整體Graphics DRAM均價(jià)跌幅約0~5%；第三季Consumer DRAM均價(jià)跌幅至0~5%...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《供應(yīng)商減產(chǎn)及季節(jié)性需求支撐，預(yù)估第三季DRAM均價(jià)跌幅收斂至0~5%》
在NAND Flash方面，第三季，預(yù)估Client SSD均價(jià)將環(huán)比下跌8~13%；Enterprise SSD均價(jià)跌幅將收斂至5~10%；UFS合約均價(jià)跌幅仍有約8~13%；NAND Flash Wafer均價(jià)有望環(huán)比增長(zhǎng)0~5%；而eMMC價(jià)格走勢(shì)仍會(huì)與同容量UFS大致相同，預(yù)期仍有下跌可能...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《各類NAND Flash價(jià)格漲跌幅預(yù)測(cè)：Q3均價(jià)續(xù)跌約3~8%，僅Wafer率先上漲》
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數(shù)百億元大項(xiàng)目進(jìn)展
近日，總投資67億美元（約合人民幣485.54億元）的華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項(xiàng)目正式開(kāi)工。
據(jù)了解，華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地項(xiàng)目分兩期建設(shè)，其中一期項(xiàng)目已經(jīng)成功投產(chǎn)，二期項(xiàng)目總投資67億美元，聚焦車規(guī)級(jí)芯片，將建設(shè)一條工藝等級(jí)覆蓋65/55-40nm，月產(chǎn)能8.3萬(wàn)片的12英寸特色工藝生產(chǎn)線。根據(jù)此前規(guī)劃，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年開(kāi)始...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《近500億投資項(xiàng)目正式開(kāi)工》
據(jù)“紹興發(fā)布”消息，7月4日，在紹興市舉行的197個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目開(kāi)竣工活動(dòng)中，一項(xiàng)總投資高達(dá)560億的濱海新區(qū)電子信息基地項(xiàng)目備受關(guān)注。該項(xiàng)目規(guī)劃未來(lái)5至10年內(nèi)預(yù)計(jì)完成投資560億元。項(xiàng)目分階段建設(shè)，先期計(jì)劃投資180億元，形成12英寸晶圓9萬(wàn)片/月的產(chǎn)能規(guī)模，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值90億元以上。
濱海新區(qū)電子信息基地項(xiàng)目整體實(shí)施后，將與已有的集成電路晶圓制造項(xiàng)目構(gòu)建集8英寸和12英寸整合全流程的芯片和模組代工服務(wù)平臺(tái)，形成“千畝千億”產(chǎn)業(yè)規(guī)模，打造世界級(jí)模擬類芯片技術(shù)研發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)基地，為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)制造端實(shí)現(xiàn)自主可控和關(guān)鍵戰(zhàn)略性產(chǎn)品供應(yīng)鏈安全提供有力保障...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《560億大項(xiàng)目上馬，紹興又有“芯”動(dòng)作》
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半導(dǎo)體廠商闖關(guān)科創(chuàng)板
近日，根據(jù)上交所信息顯示，又有多家半導(dǎo)體廠商的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)正式獲上交所受理，分別為晶亦精微、華羿微電、長(zhǎng)光辰芯、明皜傳感、芯邦科技、芯旺微、科利德等，涉及芯片設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體材料、設(shè)備等。
招股說(shuō)明書(shū)顯示，晶亦精微此次擬募集資金16億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后將投資于“高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)項(xiàng)目”“高端半導(dǎo)體裝備工藝提升及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”“高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)與制造中心建設(shè)項(xiàng)目”和“補(bǔ)充流動(dòng)資金”。
長(zhǎng)光辰芯擬募集資金15.57億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后，將全部用于投入面向機(jī)器視覺(jué)/科學(xué)儀器/專業(yè)影像/醫(yī)療成像領(lǐng)域的系列化CMOS圖像傳感器的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、高端CMOS圖像傳感器研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
明皜傳感此次擬募集資金6.2億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后，將投資于高性能高可靠性MEMS慣性傳感器開(kāi)發(fā)與系統(tǒng)應(yīng)用項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目 、MEMS傳感器測(cè)試基地建設(shè)項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《7家半導(dǎo)體廠商科創(chuàng)板IPO獲受理！》
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全球首顆AI全自動(dòng)設(shè)計(jì)CPU問(wèn)世
近日，中科院計(jì)算所的處理器芯片全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室及其合作單位，用AI技術(shù)設(shè)計(jì)出了32位RISC-V CPU“啟蒙1號(hào)”——這是世界上首個(gè)無(wú)人工干預(yù)、全自動(dòng)生成的CPU芯片。
這顆CPU采用65nm工藝，頻率達(dá)到300MHz，并可運(yùn)行Linux操作系統(tǒng)，性能與Intel 80486SX相當(dāng)，設(shè)計(jì)周期則縮短至1/1000。
“啟蒙1號(hào)”是基于BSD二元猜測(cè)圖（Binary Speculation Diagram）算法設(shè)計(jì)而來(lái)。研究人員通過(guò)AI技術(shù)，直接從“輸入-輸出（IO）”自動(dòng)生成CPU設(shè)計(jì)，而無(wú)需工程師提供任何代碼或自然語(yǔ)言描述。
該團(tuán)隊(duì)表示，其訓(xùn)練過(guò)程需要不到5個(gè)小時(shí)，便能達(dá)到>99.999999999%的驗(yàn)證測(cè)試準(zhǔn)確性...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《全球首顆！中國(guó)團(tuán)隊(duì)推出AI全自動(dòng)設(shè)計(jì)CPU！》
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三星透露閃存新消息
根據(jù)韓媒The Elec報(bào)道，三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)高管近日對(duì)外表示，2030年V-NAND可以疊加到1000多層。閃存市場(chǎng)層數(shù)堆疊競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，未來(lái)存儲(chǔ)產(chǎn)品容量有望持續(xù)提升。
目前3D/4D NAND Flash已經(jīng)突破200層，三星第8代V-NAND層數(shù)達(dá)到了236層；美光232層NAND Flash已經(jīng)量產(chǎn)出貨；今年3月鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同宣布推出218層3D NAND閃存，已開(kāi)始為部分客戶提供樣品；SK海力士2022年8月成功開(kāi)發(fā)出世界最高238層4D NAND閃存，今年6月該公司宣布已開(kāi)始量產(chǎn)238層4D NAND閃存，并正在與生產(chǎn)智能手機(jī)的海外客戶公司進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證。
未來(lái)存儲(chǔ)廠商將持續(xù)發(fā)力更高層數(shù)NAND Flash，美光232層之后，計(jì)劃推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品；鎧俠與西數(shù)也在積極探索300層以上、400層以上與500層以上的3D NAND技術(shù)；三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層），2030年前實(shí)現(xiàn)1000層NAND Flash...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《3D NAND Flash，劍指1000層堆疊！》
封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)
