7月6日，甬矽電子在投資者互動平臺表示，公司的二期項目目前部分廠房已啟用，后續(xù)會結(jié)合公司自身發(fā)展及市場情況積極、穩(wěn)健地推進，產(chǎn)能也將根據(jù)投資計劃和市場情況逐步進行釋放。
據(jù)甬矽電子介紹，二期項目中包括bumping、晶圓級封裝等產(chǎn)品的布局，并積極探索chiplet的布局和具體應用。公司持續(xù)關(guān)注以Chiplet技術(shù)為代表的先進封裝領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展及相關(guān)應用并進行了相應布局。
甬矽電子稱，公司積極推動自身在Bumping、RDL、“扇入型封裝”、“扇出型封裝”等晶圓級封裝技術(shù)的發(fā)展以及2.5D、3D等領(lǐng)域的布局，持續(xù)提升自身技術(shù)水平。公司組建專業(yè)技術(shù)研究團隊，對集成電路行業(yè)先進制程、先進封裝、先進芯片做前瞻性研究，積極探索Chiplet的布局和具體應用，根據(jù)客戶的需求與市場的情況。
甬矽電子表示，截至2022年底，募投項目高密度SIP射頻模塊封測項目已投入78,400.85萬元，投入進度為77.70%。二期項目擴產(chǎn)穩(wěn)步推進，承擔Bumping產(chǎn)業(yè)化項目，正在積極開發(fā)Fan-in/Fan-out、2.5D/3D等晶圓級封裝技術(shù)、高密度系統(tǒng)級封裝技術(shù)、大尺寸FC-BGA封裝技術(shù)等。
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