IRFR6215TRLPBF是國際整流器公司推出的一款N溝道MOSFET晶體管。以下是IRFR6215TRLPBF的一些主要芯片特性：
1. N溝道MOSFET晶體管：IRFR6215TRLPBF采用N溝道MOSFET晶體管結(jié)構(gòu)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度等特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)高效的功率放大和開關(guān)控制。
2. 高電壓：IRFR6215TRLPBF的最大漏極-源極電壓為150V，可適用于高壓電源和電機(jī)控制等應(yīng)用。
3. 低導(dǎo)通電阻：IRFR6215TRLPBF的導(dǎo)通電阻為0.027Ω，可實(shí)現(xiàn)高效的功率放大和低功耗設(shè)計。
4. 高溫性能：IRFR6215TRLPBF具有較高的工作溫度范圍（-55°C至175°C），可適應(yīng)惡劣的工作環(huán)境和高溫應(yīng)用。
5. TO-252封裝：IRFR6215TRLPBF采用TO-252封裝，具有較小的尺寸和重量，適用于高密度PCB布局和輕量化設(shè)計。
6. 應(yīng)用廣泛：IRFR6215TRLPBF可用于各種功率電子應(yīng)用，如電源管理、馬達(dá)控制、照明控制、電動工具等。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 13 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 295 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 66 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg
