6月20日，同濟(jì)大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項(xiàng)目落地江蘇省無(wú)錫市高新區(qū)。
據(jù)“無(wú)錫高新區(qū)在線”介紹，同濟(jì)大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項(xiàng)目利用同濟(jì)大學(xué)在晶體領(lǐng)域的技術(shù)成果、持續(xù)創(chuàng)新力和影響力，由同濟(jì)大學(xué)國(guó)家級(jí)創(chuàng)新技術(shù)團(tuán)隊(duì)聯(lián)袂世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)和加工裝備制造企業(yè)連城數(shù)控、半導(dǎo)體襯底片加工企業(yè)青島華芯在無(wú)錫高新區(qū)設(shè)立。
項(xiàng)目重點(diǎn)實(shí)施“氧化鎵晶體制造、裝備和工藝技術(shù)”“藍(lán)寶石晶體制造、裝備和工藝技術(shù)”和“磁光晶體制造、裝備和工藝技術(shù)”等“卡脖子”項(xiàng)目的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，建設(shè)“人工晶體生長(zhǎng)”“精密光學(xué)加工”“檢測(cè)裝備與技術(shù)”等公共服務(wù)平臺(tái)，建立院士工作站，掛牌“同濟(jì)大學(xué)人工晶體研究院”等項(xiàng)目?jī)?nèi)容。
氧化鎵是提升集成電路產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力、實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)跨越式技術(shù)進(jìn)步的重要材料，正在逐漸成為半導(dǎo)體材料界一顆冉冉升起的新星，市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿薮?。此前有?shù)據(jù)顯示，到2030年，氧化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)15億美元。
業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，未來(lái)，氧化鎵有望替代碳化硅和氮化鎵成為新一代半導(dǎo)體材料的代表，中國(guó)科學(xué)院院士郝躍進(jìn)一步提出，未來(lái)10年，氧化鎵器件有可能成為有競(jìng)爭(zhēng)力的電力電子器件，會(huì)直接與碳化硅器件競(jìng)爭(zhēng)。
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